JAJSTK3 March   2024 LMG3425R050

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 スイッチング特性
    7. 5.7 代表的特性
  7. 6 パラメータ測定情報
    1. 6.1 スイッチング パラメータ
      1. 6.1.1 ターンオン時間
      2. 6.1.2 ターンオフ時間
      3. 6.1.3 ドレインソース間のターンオン・スルーレート
      4. 6.1.4 ターンオンおよびターンオフのスイッチングエネルギー
    2. 6.2 安全operation領域 (SOA)
      1. 6.2.1 反復的SOA
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  GaN FETのoperation定義
      2. 7.3.2  ディレクティブ駆動GaNアーキテクチャ
      3. 7.3.3  ドレインソース間電圧
      4. 7.3.4  内蔵型昇降圧DC/DCコンバータ
      5. 7.3.5  VDD バイアス電源
      6. 7.3.6  補助 LDO
      7. 7.3.7  フォルト保護
        1. 7.3.7.1 過電流保護および短絡保護
        2. 7.3.7.2 過熱時のシャットダウン保護
        3. 7.3.7.3 UVLO 保護
        4. 7.3.7.4 ハイ・インピーダンスのRDRVピン保護
        5. 7.3.7.5 障害通知
      8. 7.3.8  ドライブ-強度調整
      9. 7.3.9  温度検出出力
      10. 7.3.10 最適ダイオード・モード動作
        1. 7.3.10.1 動作最適ダイオード・モード
        2. 7.3.10.2 過熱シャットダウンの理想ダイオードモード
    4. 7.4 スタート-アップ・シーケンス
    5. 7.5 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 スルーレートの選択
        2. 8.2.2.2 信号レベル・シフト
        3. 8.2.2.3 昇降圧コンバータの設計
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 推奨事項と禁止事項
    4. 8.4 電源に関する推奨事項
      1. 8.4.1 絶縁型電源の使用
      2. 8.4.2 ブートストラップダイオードの使用
        1. 8.4.2.1 ダイオードの選択
        2. 8.4.2.2 ブートストラップ電圧の管理
    5. 8.5 レイアウト
      1. 8.5.1 レイアウトのガイドライン
        1. 8.5.1.1 半田接合に対する信頼
        2. 8.5.1.2 電力ループのインダクタンス
        3. 8.5.1.3 信号-グランド接続
        4. 8.5.1.4 バイパス コンデンサ
        5. 8.5.1.5 スイッチ・ノードの静電容量
        6. 8.5.1.6 シグナル インテグリティ
        7. 8.5.1.7 高電圧間隔
        8. 8.5.1.8 基板に関する推奨事項
      2. 8.5.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 Export Control Notice
    7. 9.7 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • RQZ|54
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.1 絶対最大定格

特に記述のない限り：電圧はGND（1）を基準としています。
最小値 最大値 単位
VDS ドレインソース間電圧、FETオフ 600 V
VDS(surge) ドレインソース間電圧、FETスイッチング、サージ条件(2) 720 V
VDS(tr)(surge) ドレインソース間過渡リンギング・ピーク電圧、FETオフ、サージ状態(2)(3) 800 V
ピン電圧 VDD -0.3 20 V
LDO5V -0.3 5.5 V
VNEG -16 0.3 V
BBSW VVNEG-1 VVDD+0.5 V
IN -0.3 20 V
故障、OC、TEMP -0.3 VLDO5V+0.3 V
RDRV -0.3 5.5 V
ID(RMS) ドレインRMS電流、FETオン 44 A
ID(pulse) ドレインパルス電流、FETオン、tp < 10µs(4) -96 内部的に制限 A
IS(pulse) ソースパルス電流、FETオフ、tp < 1µs 60 A
TJ 動作時接合部温度(5) -40 150 ℃
Tstg 保存温度 -55 150 ℃
(1) 「絶対最大定格」を上回るストレスが加わった場合、デバイスに永続的な損傷が発生する可能性があります。これはストレスの定格のみについての話で、絶対最大定格において、またはこのデータシートの「推奨動作条件」に示された値を超える他のいかなる条件でも、本製品が正しく動作することを暗に示すものではありません。絶対最大定格の状態が長時間続くと、デバイスの信頼性に影響を与える可能性があります。
(2) スイッチング・サイクルのドレイン-ソース間電圧定格の説明については、セクション 7.3.3を参照してください。
(3) t1 < 200ns（インチ）図 7-1で。
(4) FETが自動的にシャットオフされないように、正のパルス電流は過電流スレッショルドを下回る必要があります。tp < 10µsのとき、FETドレイン固有の正のパルス電流定格は 96Aです。
(5) 接合部温度のテスト条件については、「電気的およびスイッチング特性」表を参照してください。