JAJSJG7D March 2020 – June 2022 LMQ61460
PRODUCTION DATA
パラメータ | テスト条件 | 最小値 | 標準値 | 最大値 | 単位 | |
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電源電圧および電流 | ||||||
VIN_OPERATE | 入力動作電圧 (3) | 起動するために必要な電圧 | 3.95 | V | ||
動作開始後 | 3.0 | |||||
VIN_OPERATE_H | ヒステリシス (3) | 1 | V | |||
IQ | 動作時の静止電流 (スイッチングなし)。VIN ピンで測定 (1) | VFB = +5%、VBIAS = 5V | 0.6 | 6 | μA | |
IBIAS | BIAS ピンに流れ込む電流 (スイッチングなし、TJ = 125℃での最大値) (1) | VFB = +5%、VBIAS = 5V、自動モード | 24 | 31.2 | µA | |
ISD | シャットダウン時の静止電流 (VIN ピンで測定) | EN = 0V、TJ = 25℃ | 0.6 | 6 | μA | |
イネーブル | ||||||
VEN | イネーブル入力スレッショルド電圧 - 立ち上がり | 1.263 | V | |||
VEN-ACC | イネーブル入力スレッショルド電圧 - 標準値からの立ち上がりの偏差 | -8.1% | 8.1% | |||
VEN-HYST | イネーブル・スレッショルドのヒステリシス (VEN (標準値) のパーセンテージで表示) | 24% | 28% | 32% | ||
VEN-WAKE | イネーブル・ウェークアップ・スレッショルド | 0.4 | V | |||
IEN | イネーブル・ピンの入力電流 | VIN = EN = 13.5V | 2.3 | µA | ||
VEN_SYNC | EN/SYNC ピンを使った同期に必要なエッジの高さ | 立ち上がり / 立ち下がり時間:30ns 未満 | 2.4 | V | ||
LDO - VCC | ||||||
VCC | 内部 VCC 電圧 | VBIAS > 3.4V、CCM 動作 (3) | 3.3 | V | ||
VBIAS = 3.1V、非スイッチング | 3.1 | |||||
VCC_UVLO | 内部 VCC 入力低電圧誤動作防止 | VCC 立ち上がり低電圧スレッショルド | 3.6 | V | ||
VCC_UVLO_HYST | 内部 VCC 入力低電圧誤動作防止 | VCC_UVLO の下側のヒステリシス | 1.1 | V | ||
帰還 | ||||||
VFB_acc | 5V、3.3V、可変 (1V FB) バージョンの基準電圧の初期精度 | VIN = 3.3V~36V、TJ = 25℃、FPWM モード | -1% | 1% | ||
IFB | FB から AGND への入力電流 | 可変バージョンのみ、FB = 1V | 10 | nA | ||
発振器 | ||||||
fADJ | RT または SYNC で調整可能な最小周波数 | RT = 66.5kΩ | 0.18 | 0.2 | 0.22 | MHz |
RT または SYNC で調整可能な周波数 (400kHz の設定を使用) | RT = 33.2kΩ | 0.36 | 0.4 | 0.44 | MHz | |
RT または SYNC で調整可能な最大周波数 | RT = 5.76kΩ | 1.98 | 2.2 | 2.42 | MHz | |
MOSFET | ||||||
RDS(ON)_HS | パワー・スイッチの ON 抵抗 | ハイサイド MOSFET の RDS(ON) | 41 | 82 | mΩ | |
RDS(ON)_LS | パワー・スイッチの ON 抵抗 | ローサイド MOSFET の RDS(ON) | 21 | 45 | mΩ | |
VBOOT_UVLO | ハイサイド・スイッチがオフになる CBOOT ピンの電圧 (SW 基準) | 2.1 | V | |||
電流制限 | ||||||
IL-HS | ハイサイド・スイッチ電流制限値 (2) | デューティ・サイクルを 0% に近付ける | 8.9 | 10.3 | 11.5 | A |
IL-LS | ローサイド・スイッチ電流制限値 | 6.1 | 7.1 | 8.1 | A | |
IL-ZC | ゼロクロスの電流制限値。正の電流の方向は、SW ピンから流れ出す電流の方向です。 | 自動モード、静的測定 | 0.25 | A | ||
IL-NEG | 負電流制限 FPWM および同期モード。正の電流の方向は、SW ピンから流れ出す電流の方向です。 | FPWM 動作 | -3 | A | ||
IPK_MIN_0 | 自動モードでの最小ピーク・コマンドおよびデバイス電流定格 | パルス幅 < 100ns | 25% | |||
IPK_MIN_100 | 自動モードでの最小ピーク・コマンドおよびデバイス電流定格 | パルス幅 > 1µs | 12.5% | |||
VHICCUP | レギュレートされる前の FB 電圧に対する FB 電圧の比率 | ソフトスタート中以外 | 40% | |||
パワー・グッド | ||||||
PGDOV | PGOOD の上限 - 立ち上がり | VOUT 設定の % | 105% | 107% | 110% | |
PGDUV | PGOOD の下限 - 立ち下がり | VOUT 設定の % | 92% | 94% | 96.5% | |
PGDHYST | PGOOD の上限 (立ち上がりおよび立ち下がり) | VOUT 設定の % | 1.3% | |||
VIN(PGD_VALID) | PGOOD が適切に機能するための入力電圧 | 1.0 | V | |||
VPGD(LOW) | Low レベル PGOOD 機能出力電圧 | PGOOD ピンに 46μA のプルアップを接続、VIN = 1.0V、EN = 0V | 0.4 | V | ||
PGOOD ピンに 1mA のプルアップを接続、VIN = 13.5V、EN = 0V | 0.4 | |||||
PGOOD ピンに 2mA のプルアップを接続、VIN = 13.5V、EN = 3.3V | 0.4 | |||||
RPGD | PGOOD 出力の RDS(ON) | PGOOD ピンに 1mA のプルアップを接続、EN = 0V | 17 | 40 | Ω | |
PGOOD ピンに 1mA のプルアップを接続、EN = 3.3V | 40 | 90 | Ω | |||
IOV | 過電圧条件での SW ノードのプルダウン電流 | 0.5 | mA | |||
サーマル・シャットダウン | ||||||
TSD_R | サーマル・シャットダウン立ち上がりスレッショルド (3) | 158 | 168 | 180 | ℃ | |
TSD_HYST | サーマル・シャットダウン・ヒステリシス (3) | 10 | ℃ |