JAJSJG7D March   2020  – June 2022 LMQ61460

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 説明
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイス比較表
  6. 6 ピン構成および機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 タイミング特性
    7. 7.7 システム特性
    8. 7.8 代表的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1  EN/SYNC による有効化と VIN UVLO
      2. 8.3.2  EN/SYNC ピンによる同期
      3. 8.3.3  可変スイッチング周波数
      4. 8.3.4  クロックのロック
      5. 8.3.5  PGOOD 出力動作
      6. 8.3.6  内部 LDO、VCC UVLO、BIAS 入力
      7. 8.3.7  ブートストラップ電圧と VCBOOT-UVLO (CBOOT ピン)
      8. 8.3.8  調整可能な SW ノードのスルーレート
      9. 8.3.9  スペクトラム拡散
      10. 8.3.10 ソフトスタートとドロップアウトからの回復
      11. 8.3.11 出力電圧設定
      12. 8.3.12 過電流および短絡保護
      13. 8.3.13 サーマル・シャットダウン
      14. 8.3.14 入力電源電流
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 シャットダウン・モード
      2. 8.4.2 スタンバイ・モード
      3. 8.4.3 アクティブ・モード
        1. 8.4.3.1 CCM モード
        2. 8.4.3.2 自動モード – 軽負荷動作
          1. 8.4.3.2.1 ダイオード・エミュレーション
          2. 8.4.3.2.2 周波数低減
        3. 8.4.3.3 FPWM モード – 軽負荷動作
        4. 8.4.3.4 最小オン時間 (高入力電圧) での動作
        5. 8.4.3.5 ドロップアウト
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1  スイッチング周波数の選択
        2. 9.2.2.2  出力電圧の設定
        3. 9.2.2.3  インダクタの選択
        4. 9.2.2.4  出力コンデンサの選択
        5. 9.2.2.5  入力コンデンサの選択
        6. 9.2.2.6  ブート・コンデンサ
        7. 9.2.2.7  ブート抵抗
        8. 9.2.2.8  VCC
        9. 9.2.2.9  BIAS
        10. 9.2.2.10 CFF と RFF の選択
        11. 9.2.2.11 外部 UVLO
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
      1. 11.1.1 グランドと熱に関する考慮事項
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 用語集
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

9.2.2.6 ブート・コンデンサ

本デバイスでは、CBOOT ピンと SW ピンの間にブートストラップ・コンデンサを接続する必要があります。このコンデンサは、ハイサイド・パワー MOSFET のゲート・ドライバに電力を供給するために使用するエネルギーを蓄積します。100nF、10V 以上の高品質 (X7R) セラミック・コンデンサが必要です。