JAJSHK7B September   2011  – June 2019 LMR12010

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      代表的なアプリケーション
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Descriptions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 Recommended Operating Ratings
    3. 6.3 Electrical Characteristics
    4. 6.4 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Boost Function
      2. 7.3.2 Enable Pin / Shutdown Mode
      3. 7.3.3 Soft Start
      4. 7.3.4 Output Overvoltage Protection
      5. 7.3.5 Undervoltage Lockout
      6. 7.3.6 Current Limit
      7. 7.3.7 Thermal Shutdown
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1.      Typical Application
      2. 8.2.1 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.1.1 Custom Design With WEBENCH® Tools
        2. 8.2.1.2 Inductor Selection
        3. 8.2.1.3 Input Capacitor
        4. 8.2.1.4 Output Capacitor
        5. 8.2.1.5 Catch Diode
        6. 8.2.1.6 Boost Diode
        7. 8.2.1.7 Boost Capacitor
        8. 8.2.1.8 Output Voltage
        9. 8.2.1.9 Calculating Efficiency, and Junction Temperature
      3. 8.2.2 Application Curves
  9. 9 Layout
    1. 9.1 Layout Considerations
    2. 9.2 Calculating The LMR12010 Junction Temperature
  10. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイス・サポート
      1. 10.1.1 デベロッパー・ネットワークの製品に関する免責事項
      2. 10.1.2 開発サポート
        1. 10.1.2.1 WEBENCH®ツールによるカスタム設計
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 コミュニティ・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 Glossary
  11. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DDC|6
サーマルパッド・メカニカル・データ

3 概要

LMR12010 レギュレータは、6 ピンの薄型 SOT23 パッケージのモノリシック高周波数 PWM 降圧型 DC/DC コンバータです。ローカル DC/DC 変換に必要なアクティブ機能をすべて内蔵し、高速過渡応答と正確なレギュレーションを、極めて小さな PCB 面積で実現しています。

最小限の外付け部品と、WEBENCH でのオンライン設計サポートにより、LMR12010 は簡単に使用できます。最先端の 0.5µm BiCMOS テクノロジを使用した内蔵 300mΩ NMOS スイッチにより 1A の負荷を駆動できるため、電力密度を最大限に高めることができます。世界最先端の制御回路により、最短で 13ns のオン時間を実現することから、3V～20V の入力動作範囲にわたって最小 0.8V の出力電圧に極めて高い周波数で変換できます。スイッチング周波数は内部で 1.6MHz (LMR12010X) または 3MHz (LMR12010Y) に設定されるため、超小型の表面実装インダクタおよびチップ・コンデンサを使用できます。動作周波数が非常に高いにもかかわらず、最大90%の高い効率を簡単に実現できます。外部からのシャットダウン機能を備えており、スタンバイ電流が30nAと非常に低くなっています。LMR12010 は電流モード制御と内部補償を活用し、広範な動作条件にわたって高性能のレギュレーションを行います。追加機能として、内部ソフトスタート回路による突入電流の低減、パルス単位の電流制限、サーマル・シャットダウン、出力過電圧保護が搭載されています。

製品情報(1)

型番 パッケージ 本体サイズ（公称）
LMR12010 SOT-23-THIN (6) 2.90mm×1.60mm
  1. 提供されているすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。