JAJSO67 january 2023 MCT8329A
PRODUCTION DATA
出力段の外部部品は設計上必要ありませんが、過渡の抑制、インダクタ・コイル・エネルギーの管理、電源ポンピングの緩和、位相リンギングの減衰、ゲート - ソース間の強プルダウン経路の提供に有用です。これらの部品は、MCT8329A デバイスまたは外部 MOSFET の損傷を防止すると同時に、BLDC モーター・システムが堅牢になるように、システムを調整およびデバッグするために使用されます。
問題と、それらの問題を解決できる外部部品の例を、下表に示します。
問題 |
解決策 |
部品 |
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必要なゲート駆動電流が大きすぎて、MOSFET の VDS スルーレートが非常に速くなる。 |
直列抵抗を配置することで、ゲート駆動電流を調整する。 |
ゲート・ドライバ出力 (GHx/GLx) の 0~100Ω の直列抵抗 (RGATE/RSOURCE)、任意のシンク抵抗 (RSINK)、シンク電流調整用ダイオード (ゲート抵抗と並列に接続) |
位相のスイッチ・ノード (SHx) でのリンギングにより、EMI 放射が増加する。 |
RC スナバを各 HS/LS MOSFET と並列に配置することで、発振を抑制する。 |
MOSFET と並列に接続された抵抗 (RSNUB) とコンデンサ (CSNUB) (モーター・ドライバのための適切な RC スナバ設計を使って、リンギング周波数に基づいて RC 値を計算) |
ローサイド・ソース (LSS) の負の過渡が仕様の最小値を下回る。 |
HS ドレインと LS ソースの間にコンデンサを接続することで、負のバウンスを抑制する。 |
PVDD と LSS の間に接続された 0.01µF~1µF、PVDD 定格のコンデンサ (CHSD_LSS) (LS MOSFET のソースの近くに配置) |
ローサイド・ゲート (GLx) の負の過渡が仕様の最小値を下回る。 |
ゲート - グランド間ツェナー・ダイオードで負電圧をクランプする。 |
アノードを GND、カソードを GLx に接続した、GVDD 電圧定格のツェナー・ダイオード (DGS) |
ゲート駆動信号がハイ・インピーダンスである場合に MOSFET を確実にターンオフさせるため、さらなる保護が必要である。 |
外付けゲート - ソース間プルダウン抵抗を (直列ゲート抵抗の後に) 接続する。 |
各 MOSFET のゲートとソースの間に接続した 10kΩ~100kΩ の抵抗 (RPD) |