JAJSO67 january 2023 MCT8329A
PRODUCTION DATA
モーター電流を切り替えるためにパワー MOSFET のゲートをターンオン / オフする場合、適切なゲート駆動電流を選択することが不可欠です。MOSFET のゲート駆動電流と入力容量の大きさによって、ドレイン - ソース間電圧 (VDS) のスルーレートが決まります。ゲート駆動電流には、GVDD から MOSFET ゲートにソースする場合 (ISOURCE) と、MOSFET ゲートから SHx または LSS にシンクする場合 (ISINK) があります。
過大なゲート駆動電流を使うと、MOSFET が過度に速くターンオンし、それにより、過剰なリンギング、dV/dt カップリング、大電流のスイッチングによるクロス導通が発生する可能性があります。システム内に寄生インダクタンスおよび容量が存在する場合、MOSFET または MCT8329A デバイスに損傷を与え得る電圧スパイクまたはリンギングが発生する可能性があります。
一方、ゲート駆動電流が小さすぎると、VDS のスルーレートが小さくなります。MOSFET をターンオンする速度が遅すぎると、RDS,on スイッチング損失により MOSFET を発熱させる可能性があります。
ゲート駆動電流 (IGATE)、MOSFET ゲート - ドレイン間電荷 (QGD)、VDS スルーレート・スイッチング時間 (trise,fall) の間の関係を以下の式に示します。
初期評価中の意図しない動作による損傷を防止するため、より小さいゲート駆動電流で評価した後、ゲート駆動流設定を増やすことを推奨します。