JAJSPZ2C October   2022  – January 2024 MSPM0L1105 , MSPM0L1106

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 機能ブロック図
  6. 5 デバイスの比較
  7. 6 ピン構成および機能
    1. 6.1 ピン配置図
    2. 6.2 ピン属性
    3. 6.3 信号の説明
    4. 6.4 未使用ピンの接続
  8. 7 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  熱に関する情報
    5. 7.5  電源電流特性
      1. 7.5.1 RUN/SLEEP モード
      2. 7.5.2 STOP/STANDBY モード
      3. 7.5.3 SHUTDOWN モード
    6. 7.6  電源シーケンス
      1. 7.6.1 POR と BOR
      2. 7.6.2 電源ランプ
    7. 7.7  フラッシュ メモリの特性
    8. 7.8  タイミング特性
    9. 7.9  クロック仕様
      1. 7.9.1 システム発振器 (SYSOSC)
        1. 7.9.1.1 SYSOSC の標準周波数精度
      2. 7.9.2 低周波数発振器 (LFOSC)
    10. 7.10 デジタル IO
      1. 7.10.1 電気的特性
      2. 7.10.2 スイッチング特性
    11. 7.11 アナログ マルチプレクサ VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 電気的特性
      2. 7.12.2 スイッチング特性
      3. 7.12.3 直線性パラメータ
      4. 7.12.4 代表的な接続図
    13. 7.13 温度センサ
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 電圧特性
      2. 7.14.2 電気的特性
    15. 7.15 GPAMP
      1. 7.15.1 電気的特性
      2. 7.15.2 スイッチング特性
    16. 7.16 I2C
      1. 7.16.1 I2C の特性
      2. 7.16.2 I2C フィルタ
      3. 7.16.3 I2C のタイミング図
    17. 7.17 SPI
      1. 7.17.1 SPI
      2. 7.17.2 SPI タイミング図
    18. 7.18 UART
    19. 7.19 TIMx
    20. 7.20 エミュレーションおよびデバッグ
      1. 7.20.1 SWD タイミング
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  動作モード
      1. 8.2.1 動作モード別の機能 (MSPM0L110x)
    3. 8.3  パワー マネージメント ユニット (PMU)
    4. 8.4  クロック・モジュール (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  イベント
    7. 8.7  メモリ
      1. 8.7.1 メモリ構成
      2. 8.7.2 ペリフェラル・ファイル・マップ
      3. 8.7.3 ペリフェラルの割り込みベクタ
    8. 8.8  フラッシュ・メモリ
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度センサ
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 GPAMP
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 SPI
    19. 8.19 I2C
    20. 8.20 WWDT
    21. 8.21 タイマ (TIMx)
    22. 8.22 デバイスのアナログ接続
    23. 8.23 入力 / 出力の回路図
    24. 8.24 ブートストラップ・ローダ (BSL)
    25. 8.25 シリアル・ワイヤ・デバッグ・インターフェイス
    26. 8.26 デバイス・ファクトリ定数
    27. 8.27 識別
  10. 9 アプリケーション、実装、およびレイアウト
    1. 9.1 代表的なアプリケーション
      1. 9.1.1 回路図
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイス命名規則
    2. 10.2 ツールとソフトウェア
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DGS|28
  • RGE|24
  • DYY|16
  • RHB|32
  • RTR|16
  • DGS|20
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

10.1 デバイス命名規則

製品開発サイクルの段階を示すために、テキサス・インスツルメンツは MSP MCU デバイスとサポート・ツールのすべての型番に接頭辞を割り当てています。。MSP MCU 商用ファミリの各番号には、MSP、X のいずれかの接頭辞があります。これらの接頭辞は、エンジニアリング・プロトタイプ (X) から、完全に認定済みの量産版デバイス (MSP) まで、製品開発の段階を表しています。

X または XMS - 実験段階のデバイスで、最終製品の電気的特性を表しているとは限りません。

MSP - 完全に認定済みの量産版デバイスです。

X および XMS デバイスは、以下の免責事項付きで出荷されます。

「開発中の製品は、社内での評価用です」。MSP デバイスの特性は完全に明確化されており、デバイスの品質と信頼性が十分に示されています。テキサス・インスツルメンツの標準保証が適用されます。プロトタイプ・デバイス (X) は、標準的な製品版デバイスに比べて故障率が大きいと予測されます。これらのデバイスは、予測される最終使用時の故障率が未定義であるため、テキサス・インスツルメンツはそれらのデバイスを量産システムで使用しないよう推奨しています。認定済みの量産デバイスのみを使用する必要があります。

テキサス・インスツルメンツのデバイスの命名規則には、デバイス・ファミリ名の接尾辞も含まれます。この接尾辞は、温度範囲、パッケージ・タイプ、配布形式を示しています。デバイス名の各部の読み方を、図 10-1に示します。

GUID-20211012-SS0I-ZKF3-3KWV-1CDB736CCJFB-low.svg図 10-1 デバイス命名規則
表 10-1 デバイス命名規則
プロセッサ・ファミリ

MSP=ミックスド・シグナル・プロセッサ

X、XMS=実験段階のシリコン
MCU プラットフォーム M0 = Arm ベース 32 ビット M0+
製品ファミリ L = 32MHz の周波数
デバイス・サブファミリ

110 = ADC
内部メモリ

5 = 32KB フラッシュ、4KB SRAM

6 = 64KB フラッシュ、4KB SRAM
温度範囲

T = -40℃～105℃
パッケージ・タイプ 表 5-1 と www.ti.com/packaging を参照
配布形式

T=小型リール

R=大型リール

マーキングなし=チューブまたはトレイ

各種パッケージ・タイプの MSP デバイスの注文可能な部品番号については、このデータシートの末尾にあるパッケージ注文情報または tij.co.jp を参照するか、テキサス・インスツルメンツの販売代理店にお問い合わせください。