JAJSN21 December   2021 REF20-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイス比較表
  6. 6 ピン構成および機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 代表的な特性
  8. 8 パラメータ測定情報
    1. 8.1 半田付けの熱による変動
    2. 8.2 長期安定性
    3. 8.3 熱によるヒステリシス
    4. 8.4 ノイズ特性
  9. 9 詳細説明
    1. 9.1 概要
    2. 9.2 機能ブロック図
    3. 9.3 機能説明
      1. 9.3.1 VREF と VBIAS のトラッキング
      2. 9.3.2 低温度ドリフト
      3. 9.3.3 負荷電流
    4. 9.4 デバイスの機能モード
  10. 10アプリケーションと実装
    1. 10.1 アプリケーション情報
    2. 10.2 代表的なアプリケーション
      1. 10.2.1 ローサイド電流センシング・アプリケーション
        1. 10.2.1.1 設計要件
        2. 10.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 10.2.1.2.1 シャント抵抗
          2. 10.2.1.2.2 差動アンプ
          3. 10.2.1.2.3 基準電圧
          4. 10.2.1.2.4 誤差の計算
          5. 10.2.1.2.5 アプリケーション曲線
  11. 11電源に関する推奨事項
  12. 12レイアウト
    1. 12.1 レイアウトのガイドライン
    2. 12.2 レイアウト例
  13. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 ドキュメントのサポート
      1. 13.1.1 関連資料
    2. 13.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 13.3 サポート・リソース
    4. 13.4 商標
    5. 13.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 13.6 用語集
  14. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.4 熱に関する情報

熱評価基準(1)REF20xx-Q1単位
DDC (SOT23)
5 ピン
RθJA接合部から周囲への熱抵抗193.6℃/W
RθJC(top)接合部からケース (上面) への熱抵抗40.2℃/W
RθJB接合部から基板への熱抵抗34.5℃/W
ψJT接合部から上面への特性評価パラメータ0.9℃/W
ψJB接合部から基板への特性評価パラメータ34.3℃/W
RθJC(bot)接合部からケース (底面) への熱抵抗N/A℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション・レポートを参照してください。