JAJSES6I March   2002  – July 2022 REF3012 , REF3020 , REF3025 , REF3030 , REF3033 , REF3040

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイス比較表
  6. 6 ピン構成と機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 標準的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 特長の説明
      1. 8.3.1 電源電圧
      2. 8.3.2 熱によるヒステリシス
      3. 8.3.3 温度ドリフト
      4. 8.3.4 ノイズ特性
      5. 8.3.5 長期安定性
      6. 8.3.6 ロード・レギュレーション
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 低電位リファレンス電圧
      2. 8.4.2 データ収集
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 関連リンク
    3. 12.3 Receiving Notification of Documentation Updates
    4. 12.4 サポート・リソース
    5. 12.5 商標
    6. 12.6 Electrostatic Discharge Caution
    7. 12.7 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.4 熱に関する情報

熱特性 (1) REF30xx 単位
DBZ (SOT-23)
3 ピン
RθJA 接合部から周囲までの熱抵抗 297.3 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上部) までの熱抵抗 128.5 ℃/W
RθJB 接合部から基板までの熱抵抗 91.7 ℃/W
ψJT 接合部から上面への熱特性パラメータ 12.8 °C/W
ψJB 接合部から基板への熱特性パラメータ 90.3 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) までの熱抵抗 N/A ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション・レポートを参照してください。