JAJSGM4 December   2018 SN55HVD233-SEP

PRODUCTION DATA.  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
    1.     Device Images
      1.      概略回路図
  4. 改訂履歴
  5. 概要(続き)
  6. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. Specifications
    1. 7.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2  ESD Ratings
    3. 7.3  Recommended Operating Conditions
    4. 7.4  Thermal Information
    5. 7.5  Driver Electrical Characteristics
    6. 7.6  Receiver Electrical Characteristics
    7. 7.7  Driver Switching Characteristics
    8. 7.8  Receiver Switching Characteristics
    9. 7.9  Device Switching Characteristics
    10. 7.10 Typical Characteristics
  8. Parameter Measurement Information
  9. Detailed Description
    1. 9.1 Overview
    2. 9.2 Functional Block Diagram
    3. 9.3 Feature Description
      1. 9.3.1 Modes
      2. 9.3.2 Loopback
      3. 9.3.3 CAN Bus States
      4. 9.3.4 ISO 11898 Compliance of SN55HVD233-SEP
        1. 9.3.4.1 Introduction
        2. 9.3.4.2 Differential Signal
          1. 9.3.4.2.1 Common-Mode Signal
        3. 9.3.4.3 Interoperability of 3.3-V CAN in 5-V CAN Systems
      5. 9.3.5 Thermal Shutdown
    4. 9.4 Device Functional Modes
  10. 10Application and Implementation
    1. 10.1 Application Information
      1. 10.1.1 Diagnostic Loopback
    2. 10.2 Typical Application
      1. 10.2.1 Design Requirements
      2. 10.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 10.2.2.1 Slope Control
        2. 10.2.2.2 Standby
      3. 10.2.3 Application Curves
  11. 11Power Supply Recommendations
  12. 12Layout
    1. 12.1 Layout Guidelines
      1. 12.1.1 Bus Loading, Length, and Number of Nodes
      2. 12.1.2 CAN Termination
    2. 12.2 Layout Example
  13. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 13.2 コミュニティ・リソース
    3. 13.3 商標
    4. 13.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 13.5 Glossary
  14. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

特長

  • VID V62/18617
  • 放射線耐性を強化
    • 単一イベント・ラッチアップ(SEL)耐性:125°Cで43MeV-cm2/mgまで
    • 30krad(Si)までELDRSフリー
    • 20krad(Si)まで、すべてのウェハー・ロットについて吸収線量(TID) RLAT
  • 宇宙向けに強化されたプラスチック
    • 管理されたベースライン
    • 金線
    • NiPdAuリード仕上げ
    • 単一のアセンブリ/テスト施設
    • 単一の製造施設
    • 軍用温度範囲(-55℃~125℃)で利用可能
    • 長期にわたる製品ライフ・サイクル
    • 長期にわたる製品変更通知
    • 製品のトレーサビリティ
    • モールド・コンパウンドの改良による低いガス放出
  • ISO 11898-2準拠
  • バス・ピンのフォルト保護: ±16V超
  • バス・ピンの ESD 保護:±14kV 超、HBM
  • データレート: 最大1Mbps
  • 広い同相電圧範囲: -7V~12V
  • 高い入力インピーダンスにより120ノードが可能
  • LVTTL I/Oは5V許容
  • ドライバ出力電圧の遷移時間制御による信号品質の向上
  • 電力オフのノードはバスに不干渉
  • 低電流のスタンバイ・モード: 200μA (標準値)
  • 診断用ループバック機能
  • サーマル・シャットダウン保護機能
  • グリッチ・フリーのバス入力および出力による電源オンおよびオフ
    • 高い入力インピーダンスと低いVCC
    • 電源サイクル中のモノリシック出力