JAJSPZ4F November   2006  – March 2023 SN65HVD3080E , SN65HVD3083E , SN65HVD3086E

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 Revision History
  5. 5 Specifications
    1. 5.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2  Power Dissipation Ratings
    3. 5.3  Electrostatic Discharge Protection
    4. 5.4  Supply Current
    5. 5.5  Recommended Operating Conditions
    6. 5.6  Thermal Information
    7. 5.7  Driver Electrical Characteristics
    8. 5.8  Driver Switching Characteristics
    9. 5.9  Receiver Electrical Characteristics
    10. 5.10 Receiver Switching Characteristics
    11. 5.11 Typical Characteristics
  6. 6 Parameter Measurement Information
  7. 7 Device Information
    1. 7.1 Function Tables
    2. 7.2 Equivalent Input and Output Schematic Diagrams
  8. 8 Application Information
    1. 8.1 Hot-Plugging
  9. 9 Device and Documentation Support
    1. 9.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 9.2 サポート・リソース
    3. 9.3 商標
    4. 9.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 9.5 用語集
  10. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

9.4 静電気放電に関する注意事項

GUID-D6F43A01-4379-4BA1-8019-E75693455CED-low.gif この IC は、ESD によって破損する可能性があります。テキサス・インスツルメンツは、IC を取り扱う際には常に適切な注意を払うことを推奨します。正しい取り扱いおよび設置手順に従わない場合、デバイスを破損するおそれがあります。
ESD による破損は、わずかな性能低下からデバイスの完全な故障まで多岐にわたります。精密な IC の場合、パラメータがわずかに変化するだけで公表されている仕様から外れる可能性があるため、破損が発生しやすくなっています。