JAJSTP1E December   2003  – March 2024 SN65MLVD200A , SN65MLVD202A , SN65MLVD204A , SN65MLVD205A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電気的特性
    6. 6.6  電気特性 - ドライバ
    7. 6.7  電気特性 - レシーバ
    8. 6.8  電気的特性　–　デジタル入力および出力
    9. 6.9  スイッチング特性 – ドライバ
    10. 6.10 スイッチング特性 – レシーバ
    11. 6.11 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 パワーオン リセット
      2. 8.3.2 ESD 保護
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 デバイス機能表
      2. 8.4.2 等価な入力および出力回路図
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1  電源電圧
        2. 9.2.2.2  電源バイパス容量
        3. 9.2.2.3  ドライバの入力電圧
        4. 9.2.2.4  ドライバ出力電圧
        5. 9.2.2.5  終端抵抗
        6. 9.2.2.6  レシーバの入力信号
        7. 9.2.2.7  レシーバ入力スレッショルド (フェイルセーフ)
        8. 9.2.2.8  レシーバ出力信号
        9. 9.2.2.9  メディアの相互接続
        10. 9.2.2.10 PCB の伝送ライン
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
  11. 10電源に関する推奨事項
  12. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
      1. 11.1.1 マイクロストリップとストリップラインのトポロジ
      2. 11.1.2 誘電体の種類と基板構造
      3. 11.1.3 推奨されるスタック レイアウト
      4. 11.1.4 パターン間の分離
      5. 11.1.5 クロストークおよびグランド バウンスの最小化
      6. 11.1.6 デカップリング
    2. 11.2 レイアウト例
  13. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 用語集
  14. 13改訂履歴
  15. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • D|14
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

11.1.4 パターン間の分離

パターンの間隔はいくつかの要因に依存しますが、通常は許容される結合の量によって実際の間隔が決まります。低ノイズ結合では、電磁場の打ち消しを活用するために、M-LVDS リンクの差動ペアが密接に結合していることが必要です。これらのパターンは 100Ω 差動で、
この要件に最も適した方法で結合する必要があります。さらに、差動ペアは平衡を保つために同じ電気的長さを持つ必要があり、これにより、スキューと信号反射の問題を最小限に抑えることができます。

隣接するシングルエンド パターンが 2 つある場合、3W のルールを使用する必要があります。このルールでは、2 つのパターン間の距離は、1 つのパターンの幅の 2 倍、またはパターンの中心からパターンの中心まで測定した幅の 3 倍を超える必要があります。このように分離を増やすことで、クロストークの可能性が実質的に減少します。隣接する M-LVDS 差動ペア間の分離にも、パターンがエッジ結合かブロードサイド結合かにかかわらず、同じルールを適用する必要があります。

SN65MLVD200A SN65MLVD202A SN65MLVD204A SN65MLVD205A シングルエンドおよび差動パターンの 3W ルール (上面図) 図 11-5 シングルエンドおよび差動パターンの 3W ルール (上面図)

オートルータを使用する場合は、クロストークや信号反射に影響するすべての要因を考慮しているとは限らないため、注意が必要です。たとえば、信号路の不連続性を防ぐために、90° の急な角を避けることが最善です。45° の角を連続して使用すると、反射を最小限に抑える傾向があります。