JAJSTP1E December   2003  – March 2024 SN65MLVD200A , SN65MLVD202A , SN65MLVD204A , SN65MLVD205A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電気的特性
    6. 6.6  電気特性 - ドライバ
    7. 6.7  電気特性 - レシーバ
    8. 6.8  電気的特性　–　デジタル入力および出力
    9. 6.9  スイッチング特性 – ドライバ
    10. 6.10 スイッチング特性 – レシーバ
    11. 6.11 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 パワーオン リセット
      2. 8.3.2 ESD 保護
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 デバイス機能表
      2. 8.4.2 等価な入力および出力回路図
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1  電源電圧
        2. 9.2.2.2  電源バイパス容量
        3. 9.2.2.3  ドライバの入力電圧
        4. 9.2.2.4  ドライバ出力電圧
        5. 9.2.2.5  終端抵抗
        6. 9.2.2.6  レシーバの入力信号
        7. 9.2.2.7  レシーバ入力スレッショルド (フェイルセーフ)
        8. 9.2.2.8  レシーバ出力信号
        9. 9.2.2.9  メディアの相互接続
        10. 9.2.2.10 PCB の伝送ライン
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
  11. 10電源に関する推奨事項
  12. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
      1. 11.1.1 マイクロストリップとストリップラインのトポロジ
      2. 11.1.2 誘電体の種類と基板構造
      3. 11.1.3 推奨されるスタック レイアウト
      4. 11.1.4 パターン間の分離
      5. 11.1.5 クロストークおよびグランド バウンスの最小化
      6. 11.1.6 デカップリング
    2. 11.2 レイアウト例
  13. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 用語集
  14. 13改訂履歴
  15. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • D|14
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

11.1.5 クロストークおよびグランド バウンスの最小化

クロストークを低減するには、高周波電流の帰路を、発生元のパターンにできるだけ近い場所に配置することが重要です。通常、グランド プレーンでこれを実現できます。リターン電流は常に最小のインダクタンスのパスを選択するため、元のパターンのすぐ下に戻る可能性が最も高く、クロストークを最小化できます。電流ループの面積を小さくすると、クロストークの可能性も低くなります。パターンをできる限り短くし、その下に連続したグランド プレーンを配置することで、放射される電磁界強度を最小化できます。グランド プレーンが不連続だと帰路のインダクタンスが増加するため、回避する必要があります。