JAJSPH3I July   2003  – January 2023 SN65HVD1176 , SN75HVD1176

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 Revision History
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Supply Current
    7. 6.7 Power Dissipation
    8. 6.8 Switching Characteristics
    9. 6.9 Typical Characteristics
      1.      Parameter Measurement Information
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
        1. 8.2.1.1 Data Rate and Bus Length
        2. 8.2.1.2 Stub Length
        3. 8.2.1.3 Bus Loading
        4. 8.2.1.4 Receiver Failsafe
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 8.2.3 Application Curve
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11Device and Documentation Support
    1. 11.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 11.2 Documentation Support
    3. 11.3 Related Links
    4. 11.4 サポート・リソース
    5. 11.5 Trademarks
    6. 11.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 11.7 用語集
  12. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

11.6 静電気放電に関する注意事項

GUID-D6F43A01-4379-4BA1-8019-E75693455CED-low.gif この IC は、ESD によって破損する可能性があります。テキサス・インスツルメンツは、IC を取り扱う際には常に適切な注意を払うことを推奨します。正しい取り扱いおよび設置手順に従わない場合、デバイスを破損するおそれがあります。
ESD による破損は、わずかな性能低下からデバイスの完全な故障まで多岐にわたります。精密な IC の場合、パラメータがわずかに変化するだけで公表されている仕様から外れる可能性があるため、破損が発生しやすくなっています。