JAJSRD1B August   2014  – February 2024 THS4541

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性：(Vs+) – Vs– = 5V
    6. 6.6 電気的特性：(Vs+) – Vs– = 3 V
    7. 6.7 代表的特性 (5V 単一電源)
    8. 6.8 代表的特性：3V 単一電源
    9. 6.9 代表的特性：電源電圧範囲：3V～5V
  8. 7 パラメータ測定情報
    1. 7.1 特性評価回路の例
    2. 7.2 周波数応答の形状係数
    3. 7.3 I/O ヘッドルームに関する検討事項
    4. 7.4 出力 DC 誤差およびドリフトの計算値と、抵抗の不均衡の影響
    5. 7.5 ノイズ解析
    6. 7.6 高調波歪みに影響を与える要因
    7. 7.7 容量性負荷の駆動
    8. 7.8 熱解析
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
      1. 8.1.1 用語とアプリケーションの前提条件
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 差動 I/O
      2. 8.3.2 パワーダウン制御ピン (PD)
        1. 8.3.2.1 電源シャットダウン動作時の特長
      3. 8.3.3 入力オーバードライブ動作
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 シングルエンド ソースから差動出力への動作
        1. 8.4.1.1 シングルエンド入力から差動出力への変換における AC 結合信号パスの検討事項
        2. 8.4.1.2 シングルエンドから差動への変換における DC 結合入力信号パスの検討事項
        3. 8.4.1.3 FDA のシングルエンドから差動構成への変換を行うための抵抗設計式
        4. 8.4.1.4 シングルエンドから差動 FDA 構成における入力インピーダンス
      2. 8.4.2 差動入力から差動出力への動作
        1. 8.4.2.1 AC 結合された差動入力から差動出力への設計の問題
        2. 8.4.2.2 DC 結合された差動入力から差動出力への設計の問題
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 Designing Attenuators
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 高性能 ADC とのインターフェイス
        1. 9.2.2.1 設計要件
        2. 9.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.4.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイスのサポート
      1. 10.1.1 開発サポート
        1. 10.1.1.1 TINA シミュレーション・モデルの機能
    2. 10.2 ドキュメントのサポート
      1. 10.2.1 関連資料
    3. 10.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 10.4 サポート・リソース
    5. 10.5 商標
    6. 10.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 10.7 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.6 電気的特性：(Vs+) – Vs– = 3 V

TA ≈ 25℃、Vocm = オープン (デフォルトは中間電位)、VOUT = 2VPP、Rf = 402Ω、Rload = 499Ω、50Ω 入力マッチング、G = 2V/V、シングルエンド入力、差動出力、および PD = +Vs (特に記述のない限り)。AC 結合でゲイン2V/V のテスト回路については、図 7-1 を参照してください。DC 結合でゲイン2V/V のテスト回路については、図 7-3 を参照してください。
パラメータテスト条件最小値代表値最大値単位テスト レベル
(1)
AC 特性
小信号帯域幅Vout = 100mVPP、G = 1600MHzC
Vout = 100mVPP、G = 2 (図 7-1 を参照)500C
Vout = 100mVPP、G = 5200C
Vout = 100mVPP、G = 10120C
ゲイン帯域幅積Vout = 100mVPP、G = 20850MHzC
大信号帯域幅Vout = 2 VPP、G = 2 (図 7-1 を参照)300MHzC
0.1dB 平坦度の帯域幅Vout = 2 VPP、G = 2 (図 7-1 を参照)90MHzC
スルーレート(2)Vout = 2V ステップ、FPBW (図 7-1 を参照)1300V/μsC
立ち上がり / 立ち下がり時間Vout = 2V ステップ、G = 2、入力 ≤ 0.3ns tr
(図 7-3 を参照)		1.8nsC
セトリング時間～1%、Vout = 2V ステップ、tr = 2ns、G = 2
(図 7-3 を参照)		5nsC
～0.1%、Vout = 2V ステップ、tr = 2ns、G = 2
(図 7-3 を参照)		8C
オーバーシュートとアンダーシュートVout = 2V ステップ G = 2、入力 ≤ 0.3ns tr
(図 7-3 を参照)		10%C
100kHz の高調波歪みVout = 2VPP、G = 2、HD2 (図 7-1 を参照)-140dBcC
Vout = 2VPP、G = 2、HD3 (図 7-1 を参照)-140C
10MHz の高調波歪みVout = 2VPP、G = 2、HD2 (図 7-1 を参照)-92dBcC
Vout = 2VPP、G = 2、HD3 (図 7-1 を参照)-89C
2 次相互変調歪f = 10MHz、100kHz トーン間隔、
Vout エンベロープ = 2VPP (トーン当たり 1Vpp)
(図 7-1 を参照)		-89dBcC
3 次相互変調歪f = 10MHz、100kHz トーン間隔、
Vout エンベロープ = 2VPP (トーン当たり 1Vpp)
(図 7-1 を参照)		-87dBcC
入力電圧ノイズf > 100kHz2.2nV/√HzC
入力電流ノイズf > 1 MHz1.9pA/√HzC
オーバードライブの復帰時間2 倍の出力オーバードライブ、どちらの極性にも対応20nsC
閉ループ出力インピーダンスf = 10MHz (差動)0.1ΩC
DC 特性
AOL開ループ電圧ゲイン100119dBA
入力換算オフセット電圧TA = 25℃-450±100400μVA
TA = 0℃～70℃-600±100600B
TA = –40℃～+85℃-700±100700B
TA = -40℃～+125℃-850±100850B
入力オフセット電圧ドリフト(3)TA = -40℃～+125℃-2.4±0.52.4μV/℃B
入力バイアス電流
(ノードから外方向を正とする)		TA = 25℃912µAA
TA = 0℃～70℃912.5B
TA = -40℃～+85℃913B
TA = -40℃～+125℃913.5B
入力バイアス電流ドリフト(3)TA = -40℃～+125℃-515nA/℃B
入力オフセット電流TA = 25℃-500±150500nAA
TA = 0℃～70℃-550±150550B
TA = -40℃～+85℃-580±150580B
TA = -40℃～+125℃-620±150620B
入力オフセット電流ドリフト(3)TA = -40℃～+125℃-1.3±0.31.3nA/℃B
入力
コモン モード入力 Low中間電位からの同相信号除去比の低下は 3dB 未満TA = 25℃(Vs–) – 0.2(Vs–) – 0.1VA
TA = -40℃～+125℃(Vs–) – 0.1Vs–B
コモン モード入力 High中間電位からの同相信号除去比の低下は 3dB 未満TA = 25℃(Vs+) – 1.3(Vs+) – 1.2VA
TA = -40℃～+125℃(Vs+) – 1.3B
同相除去比((Vs+) – Vs–) / 2 の入力ピン85100dBA
入力インピーダンス差動モード((Vs+) – Vs–) / 2 の入力ピン110 || 0.85kΩ || pFC
出力
出力電圧 LowTA = 25℃(Vs–) + 0.2(Vs–) + 0.25VA
TA = -40℃～+125℃(Vs–) + 0.2(Vs–) + 0.25B
出力電圧 HighTA = 25℃(Vs+) – 0.25(Vs+) – 0.2VA
TA = -40℃～+125℃(Vs+) – 0.25(Vs+) – 0.2B
出力電流駆動TA = 25℃±55±60mAA
TA = -40℃～+125℃±55B
電源
仕様動作電圧2.735.4VB
静止時動作電流TA = 25℃、Vs = 3 V9.39.710.1mAA
TA = -40℃～+125℃99.710.6B
±PSRR電源除去比どちらかの電源ピンから差動 Vout まで85100dBA
パワーダウン
電圧スレッショルド有効化(Vs–) + 1.7VA
電圧スレッショルド無効化(Vs–) + 0.7VA
ディスエーブルピンのバイアス電流PD = Vs– → Vs+2050nAB
パワーダウン静止時電流PD = (Vs–) + 0.7V230µAA
PD = Vs–1.08.0A
ターンオン時間の遅延PD = Low から Vout = 最終値の 90% になるまでの時間100nsC
ターンオフ時間の遅延PD = Low から Vout = 最終値の 10% になるまでの時間60nsC
出力コモン モード電圧制御(4)
小信号帯域幅Vocm = 100mVPP140MHzC
スルーレート(2)Vocm = 1V ステップ350V/μsC
ゲイン0.9750.9870.990V/VA
入力バイアス電流ノードから外方向を正とする-0.70.10.7µAA
入力インピーダンス((Vs+) – Vs–) / 2 に駆動される Vocm 入力47 || 1.2kΩ || pFC

((Vs+) – Vs–) / 2 からのデフォルト電圧オフセット		Vocm ピンはオープン-40±1040mVA
CM Vosコモン モード オフセット電圧((Vs+) – Vs–) / 2 に駆動される Vocm 入力TA = 25℃-5±25mVA
TA = 0℃～70℃-5.8±25.8B
TA = -40℃～+85℃-6.2±26.2B
TA = -40℃～+125℃-7±27B
コモン モード オフセット電圧ドリフト(3)((Vs+) – Vs–) / 2 に駆動される Vocm 入力-20±420μV/℃B
負電源までのコモン モード ループ電源のヘッドルーム中間電位 CM Vos から ±12mV 未満のシフトTA = 25℃0.88VA
TA = 0℃～70℃0.91B
TA = -40℃～+85℃0.94B
TA = -40℃～+125℃0.94B
正電源までのコモン モード ループ電源のヘッドルーム中間電位 CM Vos から ±12mV 未満のシフトTA = 25℃1.1VA
TA = 0℃～70℃1.15B
TA = -40℃～+85℃1.2B
TA = -40℃～+125℃1.2B
(1) テスト レベル (特性とシミュレーションにより設定されたすべての値)：(A) TA ≈ 25℃ (特性とシミュレーションによる過熱制限) 時に 100% テスト済み。(B) 実製品ではテストされていません。特性とシミュレーションにより設定される制約あり。(C) 情報のための標準値。
(2) このスルーレートは、大信号帯域幅から以下の式によって推定される立ち上がり時間と立ち下がり時間の平均です。(VP / √ 2) · 2π · f–3dB
(3) 入力オフセット電圧ドリフト、入力バイアス電流ドリフト、入力オフセット電流ドリフト、および Vocm ドリフトは、環境温度エンドポイントの最大範囲で取得したデータを使用して差を算出し、温度範囲で割った平均値です。最大ドリフトは、デバイスの多数のサンプリングの分布により設定されます。ドリフトは、テスト、または QA サンプル テストでは規定されません。
(4) 仕様は、入力 Vocm ピンから差動出力平均電圧までとなります。