JAJSK94 December   2020 THS4567

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. 改訂履歴
  6. ピン構成および機能
  7. 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性:差動 TIA モード、ICM ループ イネーブル
    6. 6.6 電気的特性:FDA 動作、ICM ループ ディスエーブル
    7. 6.7 代表的特性:(VS+) – (VS–) = 5V
  8. 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 メイン アンプ
      2. 7.3.2 出力同相モード制御
      3. 7.3.3 入力同相モード制御
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 シャットダウン モード
      2. 7.4.2 差動トランスインピーダンス アンプ モード
      3. 7.4.3 完全差動アンプ (FDA) モード
  9. アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 ノイズ解析
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順 (TIA モードの THS4567)
        1. 8.2.2.1 OPA モードの構成
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 0V バイアスのフォトダイオードを持った差動 TIA
    4. 8.4 差動 AC 結合した TIA
  10. 電源に関する推奨事項
  11. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
      1. 10.1.1 推奨基板レイアウト
    2. 10.2 レイアウト例
  12. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 サポート・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 用語集
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

熱に関する情報

熱評価基準(1) THS4567 単位
RUN (WQFN)
10 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 118 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 70.6 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 57.5 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への特性パラメータ 3.7 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への特性パラメータ 57.3 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 該当なし ℃/W
従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション レポートを参照してください。