JAJSHU7F
August 2019 – December 2024
THS6222
PRODUCTION DATA
1
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Pin Configuration and Functions
5
Specifications
5.1
Absolute Maximum Ratings
5.2
ESD Ratings
5.3
Recommended Operating Conditions
5.4
Thermal Information
5.5
Electrical Characteristics VS = 12 V
5.6
Electrical Characteristics VS = 32 V
5.7
Timing Requirements
5.8
Typical Characteristics: VS = 12 V
5.9
Typical Characteristics: VS = 32 V
6
Detailed Description
6.1
Overview
6.2
Functional Block Diagram
6.3
Feature Description
6.3.1
Common-Mode Buffer
6.3.2
Thermal Protection and Package Power Dissipation
6.3.3
Output Voltage and Current Drive
6.3.4
Breakdown Supply Voltage
6.3.5
Surge Test Results
6.4
Device Functional Modes
7
Application and Implementation
7.1
Application Information
7.2
Typical Applications
7.2.1
Broadband PLC Line Driving
7.2.1.1
Design Requirements
7.2.1.2
Detailed Design Procedure
7.2.1.3
Application Curve
7.3
Best Design Practices
7.3.1
Do
7.3.2
Do Not
7.4
Power Supply Recommendations
7.5
Layout
7.5.1
Layout Guidelines
7.5.1.1
Wafer and Die Information
7.5.2
Layout Examples
8
Device and Documentation Support
8.1
Development Support
8.2
Documentation Support
8.2.1
Related Documentation
8.3
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
8.4
サポート・リソース
8.5
Trademarks
8.6
静電気放電に関する注意事項
8.7
用語集
9
Revision History
10
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
パッケージ・オプション
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
RGT|16
YS|0
RHF|24
サーマルパッド・メカニカル・データ
RGT|16
QFND098S
発注情報
jajshu7f_oa
jajshu7f_pm
1
特長
電源電圧範囲 (V
S
):8V~32V
中間電源同相バッファを内蔵
大信号帯域幅:195MHz (V
O
= 16V
PP
)
スルー レート (16V ステップ):5500V/µs
低歪み (V
S
= 12V、50Ω 負荷)
HD2: –80dBc (1MHz)
HD3:–90dBc (1MHz)
出力電流:338mA (V
S
= 12V、25Ω 負荷)
広い出力スイング (V
S
= 12V)
19.4V
PP
(100Ω 負荷)
18.6V
PP
(50Ω 負荷)
電力モードを変更可能:
完全バイアス モード:19.5mA
中間バイアス モード:15mA
低バイアス モード:10.4mA
低消費電力のシャットダウン モード
IADJ ピンによる可変バイアス
過熱保護機能を内蔵
THS6212
への高性能アップグレード