JAJSJO7E December 2002 – August 2020 THS7530
PRODUCTION DATA
THS7530 デバイスは、テキサス・インスツルメンツの最新の BiCom III SiGe 補完バイポーラ・プロセスを使用して製造されています。THS7530 デバイスは、DC 結合された広帯域幅のアンプで、電圧制御のゲイン付きです。このアンプは高インピーダンス差動入力と低インピーダンス差動出力を備えており、高帯域ゲイン制御、出力同相モード制御、出力電圧クランプを実現しています。
信号チャネル性能は
300MHz の優れた帯域幅を実現しており、32MHz での 3 次高調波歪みは -61dBc、400Ω への出力は 1VPP です。
ゲイン制御は dB 単位で線形化され、0V~0.9V の間でゲインが 11.6dB~46.5dB と変化する 38.8dB/V のゲイン勾配となっています。
出力電圧スイングを制限し、後続の段での飽和を防止するために、出力電圧制限が提供されます。
このデバイスは、工業用温度範囲 (-40℃~+85℃) で動作します。
部品番号 | パッケージ | 本体サイズ (公称) |
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THS7530 | HTSSOP (14) | 5.00mm × 4.40mm |