JAJSO68A september   2022  – march 2023 THVD1424

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  ESD 定格 [IEC]
    4. 6.4  推奨動作条件
    5. 6.5  熱に関する情報
    6. 6.6  消費電力
    7. 6.7  電気的特性
    8. 6.8  スイッチング特性_500kbps
    9. 6.9  スイッチング特性_20Mbps
    10. 6.10 スイッチング特性_終端抵抗
    11. 6.11 スイッチング特性_全二重 / 半二重スイッチング
    12. 6.12 代表的な特性
  7. 7 パラメータ測定情報
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 オンチップの切り替え可能終端
      2. 8.4.2 動作データ・レート
      3. 8.4.3 保護機能
  9. 9 アプリケーション情報に関する免責事項
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
        1. 9.2.1.1 データ・レートとバス長
        2. 9.2.1.2 スタブ長
        3. 9.2.1.3 バスの負荷
        4. 9.2.1.4 レシーバのフェイルセーフ
        5. 9.2.1.5 過渡保護
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.4.2 レイアウト例
  10. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイスのサポート
      1. 10.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  11. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

9.2.1.5 過渡保護

THVD1424 トランシーバ・ファミリのバス・ピンには、±16kV HBM および ±8kV IEC 61000-4-2 接触放電に対するオンチップ ESD 保護が含まれています。国際電気標準会議 (IEC) の ESD テストは、HBM ESD テストよりはるかに厳しいものです。IEC モデルでは、充電容量 C(S) が 50% 高く、放電抵抗 R(D) が 78% 低いため、HBM モデルよりも放電電流が大幅に大きくなります。

GUID-86FC26A1-F061-478E-B1DE-AC58874392F0-low.gif図 9-3 HBM と IEC の ESD モデルと比較時の電流 (HBM 値は括弧内)

IEC ESD 保護のオンチップ実装により、機器の堅牢性が大幅に向上します。一般的な放電イベントは、コネクタやケーブルに人間が接触したことが原因で発生します。設計者は、サージ過渡と呼ばれる長期的な過渡に対する保護を実装することもできます。

一般に、EFT はリレー接触型バウンスまたは誘導性負荷の中断によって発生します。サージ過渡は多くの場合、落雷 (電圧と電流を誘導する直接衝撃または間接衝撃)、または負荷の変化や短絡のスイッチングを含む電源システムのスイッチングに起因します。これらの過渡は、ファクトリ・オートメーションや電力グリッド・システムなどの産業用環境でよく発生します。

図 9-4 は、EFT のパルス電力とサージ過渡を、IEC ESD 過渡に起因する電力と比較したものです。左側の図は、0.5kV のサージ過渡と 4kV の EFT 過渡に対する相対的なパルス電力を示しています。どちらの過渡電力も、左下隅に見える 10kV の ESD 過渡を小さくします。500V のサージ過渡は、産業用オートメーションやプロセス・オートメーションのファクトリ環境で発生する可能性のあるイベントを代表するものです。

右側の図は、同じ 0.5kV サージ過渡に対する 6kV サージ過渡のパルス電力を示しています。発電システムや電力グリッド・システムでは、6kV のサージ過渡が発生する可能性が最も高くなります。

GUID-875364A8-F2A5-44DD-A32D-A5882EA4FAE8-low.gif図 9-4 ESD、EFT、サージ過渡の電力比較

サージ過渡が発生した場合、高エネルギー成分は長いパルス持続時間と低速減衰パルス電力によって特性化されます。トランシーバの内部保護セルに注入された過渡の電気エネルギーは熱エネルギーに変換され、保護セルが加熱および破壊されてトランシーバが破壊されます。図 9-5 に、単一の ESD、EFT、サージ過渡、EFT パルス・トレインの過渡エネルギーの大きな違いを示します。これらは、準拠試験で一般的に適用されます。

GUID-898ED380-8021-4367-8F2D-7376E4970F6B-low.gif図 9-5 過渡エネルギーの比較