JAJSO82 January   2024 THVD9491-SEP

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 ESD Ratings [IEC]
    4. 5.4 Recommended Operating Conditions
    5. 5.5 Thermal Information
    6. 5.6 Power Dissipation
    7. 5.7 Electrical Characteristics
    8. 5.8 Switching Characteristics: 20Mbps
    9. 5.9 Switching Characteristics: 50Mbps
  7. Parameter Measurement Information
  8. Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagrams
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 ±70-V Fault Protection
      2. 7.3.2 Integrated IEC ESD and EFT Protection
      3. 7.3.3 Driver Overvoltage and Overcurrent Protection
      4. 7.3.4 Enhanced Receiver Noise Immunity
      5. 7.3.5 Receiver Fail-Safe Operation
      6. 7.3.6 Low-Power Shutdown Mode
    4. 7.4 Device Functional Modes
  9. Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
        1. 8.2.1.1 Data Rate and Bus Length
        2. 8.2.1.2 Stub Length
        3. 8.2.1.3 Bus Loading
        4. 8.2.1.4 Transient Protection
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
    3. 8.3 Power Supply Recommendations
    4. 8.4 Layout
      1. 8.4.1 Layout Guidelines
      2. 8.4.2 Layout Example
  10. Device and Documentation Support
    1. 9.1 Device Support
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 Trademarks
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10Revision History
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 11.1 Tape and Reel Information
    2. 11.2 Mechanical Data

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

特長

  • TIA/EIA-485A および TIA/EIA-422B 規格の要件に適合またはそれを上回る性能
  • 30krad (Si) まで、累積線量 (TID) 特性を評価済み
    • ウェハー ロットごとに 30krad (Si) までの累積線量耐性放射線ロット受け入れ試験 (TID RLAT)
  • シングルイベント効果 (SEE) の特性評価
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL) 耐性:線エネルギー付与 (LET) = 43MeVcm2 /mg (125℃)
  • 宇宙用強化プラスチック (宇宙用 EP)
    • 管理されたベースライン
    • 単一のアセンブリおよびテスト施設
    • 単一の製造施設
    • 金ボンド ワイヤ
    • NiPdAu リード仕上げ
    • ミリタリー温度範囲 (-55℃~125℃)
    • 製品ライフ サイクルの長期化
    • 製品のトレーサビリティ
    • NASA ASTM E595 アウトガス仕様に適合
  • 電源電圧:3V~5.5V
  • データおよびイネーブル信号用の 1.65V~5.5V 電源
  • SLR ピンで選択可能なデータ レート:
    • 20Mbps と 50Mbps
  • バス I/O 保護
    • DC ±70V バス フォルト
    • ±16kV HBM ESD
    • ±8kV IEC 61000-4-2 接触放電
    • ±4kV IEC 61000-4-4 高速過渡バースト
  • 対称同相範囲:±12V
  • レシーバのヒステリシスを大きくすることでノイズ耐性を確保
  • グリッチのない電源投入 / 切断によるホット プラグイン機能
  • 開放、短絡、アイドル バスのフェイルセーフ
  • 1/8 単位負荷 (最大 256 のバス ノード)
  • 有鉛 14 ピン SOIC パッケージ