JAJSN68A october   2006  – may 2023 TLV3011-EP , TLV3012-EP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Revision History
  6. 5 Pin Configuration and Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings - TLV3011-EP
    2. 6.2  Absolute Maximum Ratings - TLV3012-EP
    3. 6.3  ESD Ratings
    4. 6.4  Thermal Resistance Characteristics
    5. 6.5  Recommended Operating Conditions - TLV3011-EP
    6. 6.6  Recommended Operating Conditions - TLV3012-EP
    7. 6.7  Electrical Characteristics - TLV3011-EP
    8. 6.8  Electrical Characteristics - TLV3012-EP
    9. 6.9  Switching Characteristics - TLV3012-EP
    10. 6.10 Typical Characteristics - TLV3011-EP
    11. 6.11 Typical Characteristics - TLV3012-EP
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Open Drain Output (TLV3011-EP)
      2. 7.4.2 Push Pull Output (TLV3012-EP)
      3. 7.4.3 Voltage Reference
      4. 7.4.4 Fail-Safe Input (TLV3012-EP Only)
      5. 7.4.5 Power-On Reset (POR) (TLV3012-EP Only)
  9. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
      1. 8.1.1 External Hysteresis
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Under Voltage Detection
        1. 8.2.1.1 Design Requirements
        2. 8.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 8.2.1.3 Application Performance Plots
    3. 8.3 Power Supply Recommendations
    4. 8.4 Layout
      1. 8.4.1 Layout Guidelines
      2. 8.4.2 Layout Example
  10. 9 Device and Documentation Support
    1. 9.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 9.2 サポート・リソース
    3. 9.3 Trademarks
    4. 9.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 9.5 用語集
  11. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DBV|6
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

9.4 静電気放電に関する注意事項

GUID-D6F43A01-4379-4BA1-8019-E75693455CED-low.gif この IC は、ESD によって破損する可能性があります。テキサス・インスツルメンツは、IC を取り扱う際には常に適切な注意を払うことを推奨します。正しい取り扱いおよび設置手順に従わない場合、デバイスを破損するおそれがあります。
ESD による破損は、わずかな性能低下からデバイスの完全な故障まで多岐にわたります。精密な IC の場合、パラメータがわずかに変化するだけで公表されている仕様から外れる可能性があるため、破損が発生しやすくなっています。