JAJSMJ8B December   2021  – December 2023 TLV2387 , TLV387 , TLV4387

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報：TLV387
    5. 5.5 熱に関する情報：TLV2387
    6. 5.6 熱に関する情報：TLV4387
    7. 5.7 電気的特性
    8. 5.8 代表的な特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 入力バイアス電流
      2. 6.3.2 EMI 感受性と入力フィルタリング
    4. 6.4 デバイスの機能モード
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
      1. 7.1.1 ゼロドリフト・クロッキング
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 双方向電流センシング
        1. 7.2.1.1 設計要件
        2. 7.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 7.2.2 ロード・セルの測定
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 デバイスのサポート
      1. 8.1.1 開発サポート
        1. 8.1.1.1 PSpice® for TI
        2. 8.1.1.2 TINA-TI™シミュレーション・ソフトウェア (無償ダウンロード)
    2. 8.2 ドキュメントのサポート
      1. 8.2.1 関連資料
    3. 8.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 商標
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DBV|5
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.5 熱に関する情報：TLV2387

熱評価基準(1) TLV2387 単位
D (SOIC) DGK (VSSOP)
8 ピン 8 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 127.9 165 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 69.9 53 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 71.4 87 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への特性パラメータ 21.5 4.9 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への特性パラメータ 70.7 85 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 該当なし N/A ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション レポートを参照してください。