JAJSPX7E February   2023  – April 2024 TLV709

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 広い電源電圧範囲
      2. 6.3.2 低静止電流
      3. 6.3.3 ドロップアウト電圧 (VDO)
      4. 6.3.4 電流制限
      5. 6.3.5 リーク電流のヌル制御回路
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 通常動作
      2. 6.4.2 ドロップアウト動作
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1 TLV70901 可変 LDO の VOUT の設定
        2. 7.2.2.2 外部コンデンサの要件
        3. 7.2.2.3 入出力コンデンサの要件
        4. 7.2.2.4 逆電流
        5. 7.2.2.5 フィードフォワード コンデンサ (CFF)
        6. 7.2.2.6 消費電力 (PD)
        7. 7.2.2.7 推定接合部温度
    3. 7.3 設計のベスト プラクティス
    4. 7.4 電源に関する推奨事項
    5. 7.5 レイアウト
      1. 7.5.1 レイアウトのガイドライン
        1. 7.5.1.1 電力散逸
      2. 7.5.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 デバイスのサポート
      1. 8.1.1 開発サポート
        1. 8.1.1.1 評価基板
        2. 8.1.1.2 SPICE モデル
      2. 8.1.2 デバイス命名規則
    2. 8.2 ドキュメントのサポート
      1. 8.2.1 関連資料
    3. 8.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 商標
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.2.2.4 逆電流

過度な逆電流がある場合、デバイスが損傷する可能性があります。逆電流は、通常の導通チャネルではなく PMOS パス トランジスタの固有ボディ ダイオードを通って流れます。この電流が大きくなると、デバイスの長期的な信頼性が低下します。

このセクションでは、逆電流が発生する可能性のある条件について概説します。これらの条件はすべて、VOUT ≤ VIN + 0.3V の絶対最大定格を超える可能性があります。これらの条件は次のとおりです。

  • デバイスが大きな COUT を持ち、負荷電流がほとんどまたはまったくない状態で入力電源が破損した場合
  • 入力電源が確立されていない場合、出力はバイアスされる
  • 出力は入力電源よりも高くバイアスされる

アプリケーションで逆電流が予期される場合は、外部保護機能を使用してデバイスを保護します。逆電流はデバイス内で制限されないため、拡張された逆電圧動作が予期される場合は、外部制限が必要です。この電流が避けられない場合は、逆電流をデバイスの定格出力電流の 5% 以下に制限します。

図 7-3 に、デバイスを保護するための 1 つのアプローチを示します。

GUID-F97E53FF-8D9E-4534-8E40-55A0B5269622-low.svg図 7-3 ショットキー ダイオードを使用した逆電流保護の回路例