JAJSE80R October 2017 – November 2021 TLV9001 , TLV9002 , TLV9004
PRODUCTION DATA
- 1 特長
- 2 アプリケーション
- 3 説明
- 4 改訂履歴
- 5 製品比較表
- 6 ピン構成および機能
- 7 仕様
- 8 詳細説明
- 9 アプリケーションと実装
- 10電源に関する推奨事項
- 11レイアウト
- 12デバイスおよびドキュメントのサポート
- 13メカニカル、パッケージ、および注文情報
パッケージ・オプション
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
- DPW|5
- DBV|6
- DBV|5
- DCK|5
- DCK|6
サーマルパッド・メカニカル・データ
- DPW|5
発注情報
9.2.1.2 詳細な設計手順
図 9-1 の回路の伝達関数は、Equation1 に示すとおりです。
負荷電流 (ILOAD) により、シャント抵抗 (RSHUNT) の両端で電圧降下が発生します。負荷電流は 0A～1A に設定されます。最大負荷電流時にシャント電圧を 100mV 未満に維持するため、最大のシャント抵抗は Equation2 を使用して計算されます。
Equation2 から、RSHUNT は 100mΩと計算されます。ILOAD と RSHUNT によって発生する電圧降下は、TLV900x によって増幅され、約 0V～4.9V の出力電圧を生成します。TLX900x が必要な出力電圧を生成するために要求されるゲインは、Equation3 で計算されます。
Equation3 から、必要なゲインは 49V/V と計算されます。これは抵抗 RF と RG で設定します。TLV900x のゲインを 49V/V に設定するための抵抗 RF と RG のサイズは、Equation4 で計算します。
RF に 57.6kΩ、RG に 1.2kΩを選択すると、組み合わせで 49V/V に等しくなります。図 9-1 に示す回路で測定された伝達関数を、図 9-2 に示します。ゲインは、帰還抵抗とゲイン抵抗の関数にすぎないことに注意してください。このゲインは抵抗の比を変化させることで調整され、実際の抵抗値は設計者が設定しようとするインピーダンス・レベルによって決定されます。インピーダンス・レベルによって、電流ドレイン、浮遊容量の影響、その他いくつかの動作が決まります。すべてのシステムに同じインピーダンス選択が最適ではないため、システム・パラメータに応じて理想的なインピーダンスを選択する必要があります。