JAJSL48 July   2021 TMCS1108-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 Revision History
  5. 5 デバイスの比較
  6. 6 ピン構成および機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電力定格
    6. 7.6 電気的特性
    7. 7.7 代表的特性
      1. 7.7.1 絶縁特性曲線
  8. 8 パラメータ測定情報
    1. 8.1 精度パラメータ
      1. 8.1.1 感度誤差
      2. 8.1.2 オフセット誤差とオフセット誤差ドリフト
      3. 8.1.3 非直線性誤差
      4. 8.1.4 電源除去比
      5. 8.1.5 同相除去比
      6. 8.1.6 外部磁場エラー
    2. 8.2 過渡応答パラメータ
      1. 8.2.1 スルーレート
      2. 8.2.2 伝搬遅延と応答時間
      3. 8.2.3 過電流パラメータ
      4. 8.2.4 CMTI、同相電圧過渡耐性
    3. 8.3 安全動作領域
      1. 8.3.1 連続 DC または正弦波 AC 電流
      2. 8.3.2 反復的なパルス電流 SOA
      3. 8.3.3 単一イベント電流機能
  9. 9 詳細説明
    1. 9.1 概要
    2. 9.2 機能ブロック図
    3. 9.3 機能説明
      1. 9.3.1 電流入力
      2. 9.3.2 高精度信号チェーン
        1. 9.3.2.1 寿命と環境安定性
        2. 9.3.2.2 周波数応答
        3. 9.3.2.3 過渡応答
      3. 9.3.3 内部リファレンス電圧
      4. 9.3.4 電流検出の測定可能範囲
    4. 9.4 デバイスの機能モード
      1. 9.4.1 パワーダウンの動作
  10. 10アプリケーションと実装
    1. 10.1 アプリケーション情報
      1. 10.1.1 総誤差計算例
        1. 10.1.1.1 室温誤差の計算
        2. 10.1.1.2 全温度範囲の誤差の計算
    2. 10.2 代表的なアプリケーション
      1. 10.2.1 設計要件
      2. 10.2.2 詳細な設計手順
      3. 10.2.3 アプリケーション曲線
  11. 11電源に関する推奨事項
  12. 12レイアウト
    1. 12.1 レイアウトのガイドライン
    2. 12.2 レイアウト例
  13. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 デバイスのサポート
      1. 13.1.1 開発サポート
    2. 13.2 ドキュメントのサポート
      1. 13.2.1 関連資料
    3. 13.3 Receiving Notification of Documentation Updates
    4. 13.4 サポート・リソース
    5. 13.5 商標
    6. 13.6 Electrostatic Discharge Caution
    7. 13.7 Glossary
  14. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.4 熱に関する情報

熱評価基準(1)TMCS1108-Q1(2)単位
D (SOIC)
8 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗36.6℃/W
RθJC(top)接合部からケース (上面) への熱抵抗50.7℃/W
RθJB接合部から基板への熱抵抗9.6℃/W
ΨJT接合部から上面への熱特性パラメータ-0.1℃/W
ΨJB接合部から基板への熱特性パラメータ11.7℃/W
RθJC(bot)接合部からケース (底面) への熱抵抗N/A℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション・レポートを参照してください。
(2) デバイスが に取り付けられているときに適用されます。TMCS1108EVM に取り付けられているときに適用されます。詳細については、「安全動作領域」セクションを参照してください。