JAJSJY3C february   2022  – may 2023 TMP1826

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 概要 (続き)
  7. 6 デバイスの比較
  8. 7 ピン構成および機能
  9. 8 仕様
    1. 8.1 絶対最大定格
    2. 8.2 ESD 定格
    3. 8.3 推奨動作条件
    4. 8.4 熱に関する情報
    5. 8.5 電気的特性
    6. 8.6 1 線式インターフェイスのタイミング
    7. 8.7 EEPROM の特性
    8. 8.8 タイミング図
    9. 8.9 代表的特性
  10. 9 詳細説明
    1. 9.1 概要
    2. 9.2 機能ブロック図
    3. 9.3 機能説明
      1. 9.3.1  電源投入
      2. 9.3.2  電力モードの切り換え
      3. 9.3.3  バス・プルアップ抵抗
      4. 9.3.4  温度結果
      5. 9.3.5  温度オフセット
      6. 9.3.6  温度アラート
      7. 9.3.7  標準デバイス・アドレス
        1. 9.3.7.1 固有の 64 ビット・デバイス・アドレスと ID
      8. 9.3.8  フレキシブル・デバイス・アドレス
        1. 9.3.8.1 不揮発性のショート・アドレス
        2. 9.3.8.2 IO ハードウェア・アドレス
        3. 9.3.8.3 抵抗アドレス
        4. 9.3.8.4 IO アドレスと抵抗アドレスの結合
      9. 9.3.9  CRC 生成
      10. 9.3.10 機能レジスタ・マップ
      11. 9.3.11 ユーザー・メモリ・マップ
      12. 9.3.12 ビット通信
        1. 9.3.12.1 ホスト書き込み、デバイス読み取り
        2. 9.3.12.2 ホスト読み取り、デバイス書き込み
      13. 9.3.13 バス速度
      14. 9.3.14 NIST トレース可能性
    4. 9.4 デバイスの機能モード
      1. 9.4.1 変換モード
        1. 9.4.1.1 基本ワンショット変換モード
        2. 9.4.1.2 自動変換モード
        3. 9.4.1.3 スタック変換モード
        4. 9.4.1.4 連続変換モード
      2. 9.4.2 アラート機能
        1. 9.4.2.1 アラート・モード
        2. 9.4.2.2 コンパレータ・モード
      3. 9.4.3 1 線式インターフェイス通信
        1. 9.4.3.1 バス・リセット・フェーズ
        2. 9.4.3.2 アドレス・フェーズ
          1. 9.4.3.2.1 READADDR (33h)
          2. 9.4.3.2.2 MATCHADDR (55h)
          3. 9.4.3.2.3 SEARCHADDR (F0h)
          4. 9.4.3.2.4 ALERTSEARCH (ECh)
          5. 9.4.3.2.5 SKIPADDR (CCh)
          6. 9.4.3.2.6 OVD SKIPADDR (3Ch)
          7. 9.4.3.2.7 OVD MATCHADDR (69h)
          8. 9.4.3.2.8 FLEXADDR (0Fh)
        3. 9.4.3.3 機能フェーズ
          1. 9.4.3.3.1  CONVERTTEMP (44h)
          2. 9.4.3.3.2  WRITE SCRATCHPAD-1 (4Eh)
          3. 9.4.3.3.3  READ SCRATCHPAD-1 (BEh)
          4. 9.4.3.3.4  COPY SCRATCHPAD-1 (48h)
          5. 9.4.3.3.5  WRITE SCRATCHPAD-2 (0Fh)
          6. 9.4.3.3.6  READ SCRATCHPAD-2 (AAh)
          7. 9.4.3.3.7  COPY SCRATCHPAD-2 (55h)
          8. 9.4.3.3.8  READ EEPROM (F0h)
          9. 9.4.3.3.9  GPIO WRITE (A5h)
          10. 9.4.3.3.10 GPIO READ (F5h)
      4. 9.4.4 NVM での動作
        1. 9.4.4.1 ユーザー・データのプログラミング
        2. 9.4.4.2 レジスタおよびメモリ保護
          1. 9.4.4.2.1 Scratchpad-1 レジスタの保護
          2. 9.4.4.2.2 ユーザー・メモリの保護
    5. 9.5 プログラミング
      1. 9.5.1 シングル・デバイスの温度変換と読み取り
      2. 9.5.2 複数デバイスの温度変換と読み取り
      3. 9.5.3 レジスタ Scratchpad-1 の更新とコミット
      4. 9.5.4 シングル・デバイス EEPROM のプログラミングと検証
      5. 9.5.5 シングル・デバイス EEPROM ページのロック動作
      6. 9.5.6 複数デバイスの IO 読み取り
      7. 9.5.7 複数デバイスの IO 書き込み
    6. 9.6 レジスタ・マップ
      1. 9.6.1  温度結果 LSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 00h) [リセット = 00h]
      2. 9.6.2  温度結果 MSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 01h) [リセット = 00h]
      3. 9.6.3  ステータス・レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 02h) [リセット = 3Ch]
      4. 9.6.4  Device Configuration-1 レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 04h) [リセット = 70h]
      5. 9.6.5  Device Configuration-2 レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 05h) [リセット = 80h]
      6. 9.6.6  ショート・アドレス・レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 06h) [リセット = 00h]
      7. 9.6.7  温度アラート低 LSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 08h) [リセット = 00h]
      8. 9.6.8  温度アラート低 MSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 09h) [リセット = 00h]
      9. 9.6.9  温度アラート高 LSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 0Ah) [リセット = F0h]
      10. 9.6.10 温度アラート高 MSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 0Bh) [リセット = 07h]
      11. 9.6.11 温度オフセット LSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 0Ch) [リセット = 00h]
      12. 9.6.12 温度オフセット MSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 0Dh) [リセット = 00h]
      13. 9.6.13 IO 読み取りレジスタ [リセット = F0h]
      14. 9.6.14 IO 構成レジスタ [リセット = 00h]
  11. 10アプリケーションと実装
    1. 10.1 アプリケーション情報
    2. 10.2 代表的なアプリケーション
      1. 10.2.1 バス・パワー・モードのアプリケーション
        1. 10.2.1.1 設計要件
        2. 10.2.1.2 詳細な設計手順
      2. 10.2.2 電源モードのアプリケーション
        1. 10.2.2.1 設計要件
        2. 10.2.2.2 詳細な設計手順
      3. 10.2.3 通信向けの UART インターフェイス
        1. 10.2.3.1 設計要件
        2. 10.2.3.2 詳細な設計手順
    3. 10.3 電源に関する推奨事項
    4. 10.4 レイアウト
      1. 10.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 10.4.2 レイアウト例
  12. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 サポート・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 用語集
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

4 改訂履歴

Changes from Revision B (December 2022) to Revision C (May 2023)

  • WSON パッケージ・オプションからプレビューの注を削除Go
  • 「製品比較」表を追加Go
  • 脚注 2 の標準速度モードの最大動作温度範囲を変更Go
  • NGR パッケージの 10℃～+45℃での最大精度を ±0.3℃から ±0.2℃に、全範囲を ±1.0℃から ±0.4℃に変更Go
  • IO の VIL を 0.2×VS から 0.3×VS に変更Go
  • IO の VIH を 0.8×VS から 0.7×VS に変更Go
  • 連続変換モードのスタンバイ電流仕様を追加Go
  • 標準モードでの tSLOT の最小値を 60µs から tWR0L + tRC に変更Go
  • 標準モードでの tSLOT の最大値を削除Go
  • オーバードライブ・モードでの tSLOT の最小値を 11µs から tWR0L + tRC に変更Go
  • オーバードライブ速度の tREC を 10µs から 2µs に変更Go
  • tRL を 2µs から 2.5µs に変更Go
  • tREADIDLE を 400µs から 560µs に変更。Go
  • IDD_PROG を 214µA から 230µA に変更Go
  • VDD 電源モードの連続変換モードを追加Go

Changes from Revision A (September 2022) to Revision B (December 2022)

  • DGK (VSSOP) パッケージのステータスを「事前情報」から「量産データ」に変更Go
  • 「特長」セクションに機能安全の情報を追加 Go
  • DGK パッケージの最大精度を ±1.0℃から ±0.5℃に変更Go
  • オーバードライブ速度の tREC を 2µs から 10µs に変更Go
  • 125℃での EEPROM の最小耐久性仕様を追加Go
  • 「GPIO WRITE」セクションから GPIO 読み取りおよび CRC バイトを削除 Go

Changes from Revision * (February 2022) to Revision A (September 2022)

  • WSON パッケージ・オプションを追加Go
  • WSON パッケージのピン配置を追加Go
  • 動作周囲温度範囲を -55℃～150℃に更新Go
  • 長期安定性およびドリフト仕様を追加Go
  • 温度サイクルとヒステリシスの仕様を追加Go
  • 応答時間仕様を追加Go
  • スタンバイ電流を 1.6µA に変更Go
  • 立ち上がり電源のパワーオン・リセット・スレッショルドを標準 1.25V から最小 1.5V に変更Go
  • 立ち下がり電源のパワーオン・リセット・スレッショルドを標準 1.15V から最大 1.3V に変更Go
  • EEPROM の標準耐久性仕様を追加Go
  • 「フレキシブル・デバイス・アドレス」セクションを追加 Go
  • 標準バス速度とオーバードライブ・バス速度のセクションを追加Go
  • FLEXADDR アドレス・コマンドを追加Go
  • FLEXADDR アドレス・コマンドの説明を追加Go
  • TEMP_RESULT_L および TEMP_RESULT_H レジスタのリセット値を更新Go
  • STATUS_REG に DATA_READY フラグを追加Go
  • CONFIG_REG2 レジスタの FLEX_ADDR_MODE ビットを追加Go
  • STACKMODE_ADDR を SHORT_ADDR レジスタに更新Go