JAJSJY3C february   2022  – may 2023 TMP1826

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 概要 (続き)
  7. 6 デバイスの比較
  8. 7 ピン構成および機能
  9. 8 仕様
    1. 8.1 絶対最大定格
    2. 8.2 ESD 定格
    3. 8.3 推奨動作条件
    4. 8.4 熱に関する情報
    5. 8.5 電気的特性
    6. 8.6 1 線式インターフェイスのタイミング
    7. 8.7 EEPROM の特性
    8. 8.8 タイミング図
    9. 8.9 代表的特性
  10. 9 詳細説明
    1. 9.1 概要
    2. 9.2 機能ブロック図
    3. 9.3 機能説明
      1. 9.3.1  電源投入
      2. 9.3.2  電力モードの切り換え
      3. 9.3.3  バス・プルアップ抵抗
      4. 9.3.4  温度結果
      5. 9.3.5  温度オフセット
      6. 9.3.6  温度アラート
      7. 9.3.7  標準デバイス・アドレス
        1. 9.3.7.1 固有の 64 ビット・デバイス・アドレスと ID
      8. 9.3.8  フレキシブル・デバイス・アドレス
        1. 9.3.8.1 不揮発性のショート・アドレス
        2. 9.3.8.2 IO ハードウェア・アドレス
        3. 9.3.8.3 抵抗アドレス
        4. 9.3.8.4 IO アドレスと抵抗アドレスの結合
      9. 9.3.9  CRC 生成
      10. 9.3.10 機能レジスタ・マップ
      11. 9.3.11 ユーザー・メモリ・マップ
      12. 9.3.12 ビット通信
        1. 9.3.12.1 ホスト書き込み、デバイス読み取り
        2. 9.3.12.2 ホスト読み取り、デバイス書き込み
      13. 9.3.13 バス速度
      14. 9.3.14 NIST トレース可能性
    4. 9.4 デバイスの機能モード
      1. 9.4.1 変換モード
        1. 9.4.1.1 基本ワンショット変換モード
        2. 9.4.1.2 自動変換モード
        3. 9.4.1.3 スタック変換モード
        4. 9.4.1.4 連続変換モード
      2. 9.4.2 アラート機能
        1. 9.4.2.1 アラート・モード
        2. 9.4.2.2 コンパレータ・モード
      3. 9.4.3 1 線式インターフェイス通信
        1. 9.4.3.1 バス・リセット・フェーズ
        2. 9.4.3.2 アドレス・フェーズ
          1. 9.4.3.2.1 READADDR (33h)
          2. 9.4.3.2.2 MATCHADDR (55h)
          3. 9.4.3.2.3 SEARCHADDR (F0h)
          4. 9.4.3.2.4 ALERTSEARCH (ECh)
          5. 9.4.3.2.5 SKIPADDR (CCh)
          6. 9.4.3.2.6 OVD SKIPADDR (3Ch)
          7. 9.4.3.2.7 OVD MATCHADDR (69h)
          8. 9.4.3.2.8 FLEXADDR (0Fh)
        3. 9.4.3.3 機能フェーズ
          1. 9.4.3.3.1  CONVERTTEMP (44h)
          2. 9.4.3.3.2  WRITE SCRATCHPAD-1 (4Eh)
          3. 9.4.3.3.3  READ SCRATCHPAD-1 (BEh)
          4. 9.4.3.3.4  COPY SCRATCHPAD-1 (48h)
          5. 9.4.3.3.5  WRITE SCRATCHPAD-2 (0Fh)
          6. 9.4.3.3.6  READ SCRATCHPAD-2 (AAh)
          7. 9.4.3.3.7  COPY SCRATCHPAD-2 (55h)
          8. 9.4.3.3.8  READ EEPROM (F0h)
          9. 9.4.3.3.9  GPIO WRITE (A5h)
          10. 9.4.3.3.10 GPIO READ (F5h)
      4. 9.4.4 NVM での動作
        1. 9.4.4.1 ユーザー・データのプログラミング
        2. 9.4.4.2 レジスタおよびメモリ保護
          1. 9.4.4.2.1 Scratchpad-1 レジスタの保護
          2. 9.4.4.2.2 ユーザー・メモリの保護
    5. 9.5 プログラミング
      1. 9.5.1 シングル・デバイスの温度変換と読み取り
      2. 9.5.2 複数デバイスの温度変換と読み取り
      3. 9.5.3 レジスタ Scratchpad-1 の更新とコミット
      4. 9.5.4 シングル・デバイス EEPROM のプログラミングと検証
      5. 9.5.5 シングル・デバイス EEPROM ページのロック動作
      6. 9.5.6 複数デバイスの IO 読み取り
      7. 9.5.7 複数デバイスの IO 書き込み
    6. 9.6 レジスタ・マップ
      1. 9.6.1  温度結果 LSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 00h) [リセット = 00h]
      2. 9.6.2  温度結果 MSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 01h) [リセット = 00h]
      3. 9.6.3  ステータス・レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 02h) [リセット = 3Ch]
      4. 9.6.4  Device Configuration-1 レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 04h) [リセット = 70h]
      5. 9.6.5  Device Configuration-2 レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 05h) [リセット = 80h]
      6. 9.6.6  ショート・アドレス・レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 06h) [リセット = 00h]
      7. 9.6.7  温度アラート低 LSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 08h) [リセット = 00h]
      8. 9.6.8  温度アラート低 MSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 09h) [リセット = 00h]
      9. 9.6.9  温度アラート高 LSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 0Ah) [リセット = F0h]
      10. 9.6.10 温度アラート高 MSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 0Bh) [リセット = 07h]
      11. 9.6.11 温度オフセット LSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 0Ch) [リセット = 00h]
      12. 9.6.12 温度オフセット MSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 0Dh) [リセット = 00h]
      13. 9.6.13 IO 読み取りレジスタ [リセット = F0h]
      14. 9.6.14 IO 構成レジスタ [リセット = 00h]
  11. 10アプリケーションと実装
    1. 10.1 アプリケーション情報
    2. 10.2 代表的なアプリケーション
      1. 10.2.1 バス・パワー・モードのアプリケーション
        1. 10.2.1.1 設計要件
        2. 10.2.1.2 詳細な設計手順
      2. 10.2.2 電源モードのアプリケーション
        1. 10.2.2.1 設計要件
        2. 10.2.2.2 詳細な設計手順
      3. 10.2.3 通信向けの UART インターフェイス
        1. 10.2.3.1 設計要件
        2. 10.2.3.2 詳細な設計手順
    3. 10.3 電源に関する推奨事項
    4. 10.4 レイアウト
      1. 10.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 10.4.2 レイアウト例
  12. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 サポート・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 用語集
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.5 電気的特性

自由気流での動作温度範囲内、VDD = 1.7V～5.5V (特に記述のない限り)。標準仕様は TA = 25℃かつ VDD = 3.3V でのもの (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 代表値 最大値 単位
温度センサ
TERR 温度精度 (NGR) 10℃～45℃ ±0.1 ±0.2
-40℃～105℃ ±0.3
-55℃～150℃ ±0.4
温度精度 (DGK) -20℃～85℃ ±0.1 ±0.3 ℃
-55℃～150℃ ±0.5
PSR DC 電源感度 ±0.03 ℃/V
TRES 温度分解能 (高精度フォーマット) 符号ビットを含む 16 ビット
LSB 7.8125 m℃
TREPEAT 再現性(1) 平均化がイネーブル、変換時間 = 5.5ms、16 ビット・モード、
1Hz 変換レート、300 アクイジション		 ±2 LSB
TLTD 長期的な安定性とドリフト 150℃で 1000 時間(2) 0.0625 ℃
THYST 温度サイクリングとヒステリシス TSTART = -40℃
TFINISH = 150℃
TTEST = 25℃
3 サイクル		 4 LSB
tRESP_L 応答時間 (撹拌液体)
NGR パッケージ		 単層フレキシブル PCB τ = 63%
25℃～75℃		 0.77 s
2 層 62mil リジッド PCB 1.91 s
tACT アクティブ変換時間 (平均化なし) CONV_TIME_SEL = 0 (図 9-12) 2.54 3 3.37 ms
CONV_TIME_SEL = 1 4.69 5.5 6.12 ms
tDELAY 温度変換のスタートアップ遅延 100 300 µs
SDQ デジタル入出力
CIN SDQ ピンの容量 40 pF
VIL 入力ロジック Low レベル(3) -0.3 0.2 × VS V
VIH 入力ロジック High レベル(3) 0.8 × VS VS + 0.3 V
VHYST ヒステリシス 0.3 V
VOL 出力 Low レベル IOL = -4mA 0.4 V
IO 特性
CIN 入力容量 10 pF
VIL 入力ロジック Low レベル(3) -0.3 0.3 × VS V
VIH 入力ロジック High レベル(3) 0.7 × VS VS + 0.3 V
IIN 入力リーク電流 0 ±0.12 µA
VOL 出力 Low レベル IOL = -3mA 0.4 V
抵抗アドレス・デコーダの特性
CLOAD ADDR ピンで計測されるの負荷容量 (PCB の寄生容量を含む) 100 pF
RADDR 抵抗の範囲 6.49 54.9 kΩ
RADDR 抵抗の許容誤差 TA = 25℃ -1.0 1.0 %
RADDR 抵抗の温度係数 -100 100 ppm/℃
RADDR 抵抗の寿命ドリフト –0.2 0.2 %
tRESDET 抵抗デコード時間 2.8 ms
電源
IPU プルアップ電流(5) バス・パワー・モード、シリアル・バスがアイドル 300
µA
IDD_ACTIVE 温度変換時の電源電流 温度変換、シリアル・バスがアイドル 94 154 µA
IDD_SB スタンバイ電流(4) VDD 電源、シリアル・バスが非アクティブ、連続変換モード TA = -55℃～85℃ 1.6 4.2 µA
TA = -55℃～150℃ 24
IDD_SD シャットダウン電流 シリアル・バスが非アクティブ、ワンショット変換モード TA = -55℃～85℃ 1.3 3.3 µA
TA = -55℃～150℃ 23.2
VPOR パワーオン・リセットのスレッショルド電圧 電源立ち上がり (図 8-4、図 8-5) 1.5 V
ブラウンアウト検出 電源立ち下がり 1.3 V
tINIT POR 初期化時間 電源投入後にデバイスがリセットするために必要な時間 (図 8-4、図 8-5) 2.0 ms
(1) 再現性とは、測定した温度が同じ条件の下で連続的に適用されたときに、測定値が再現されるかどうかです。図 8-12 を参照してください。
(2) 長期安定性は、150℃の接合部温度での加速動作寿命テストを使用して決定されます。
(3) バス・パワー・モードでは、VS = VPUR です。電源モードでは、VS = VDD です。
(4) 変換の間の静止電流。
(5) アクティブ温度変換または EEPROM の読み取り、およびプログラム動作のためにバス・プルアップ抵抗のサイズを決定するには、プルアップ電流パラメータが必要です (セクション 9.3.3 を参照)。