JAJSI02D October   2019  – November 2020 TMP63

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイスの比較
  6. 6 ピン構成および機能
    1.     ピンの機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 代表的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 TMP63 R-T 表
      2. 8.3.2 線形抵抗曲線
      3. 8.3.3 正温度係数 (PTC)
      4. 8.3.4 内蔵フェイルセーフ
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 サーミスタ・バイアス回路
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.1.2.1 コンパレータを使用した過熱保護
          2. 9.2.1.2.2 サーマル・フォールドバック
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 12.2 サポート・リソース
    3. 12.3 商標
    4. 12.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 12.5 用語集
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.6 代表的特性

TA = 25℃ (特に記述のない限り)

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図 7-1 各種バイアス電流における抵抗値と周囲温度の関係
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図 7-3 TCR と検出電流 （ISNS） の関係
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図 7-5 抵抗値の電源依存性とバイアス電流の関係
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VSNS = 1V
図 7-7 ステップ応答
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周囲条件：かくはん液中温度：25℃～125℃
図 7-9 DYA の熱応答時間
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RBIAS = 100kΩ (許容誤差 ±0.01 %)
図 7-2 各種バイアス電圧における抵抗値と周囲温度の関係
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RBIAS = 100kΩ (許容誤差 ±0.01 %)
図 7-4 検出電圧 (VSns) の関数としての TCR
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RBias = 100kΩ (許容誤差 ±0.01 %)
図 7-6 電源依存性とバイアス電圧の関係
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周囲条件：かくはん液中温度：25℃～125℃
図 7-8 DEC の熱応答時間
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周囲条件：静止空気中
図 7-10 熱応答時間