JAJSEO0 February   2018 TMUX154E

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      機能ブロック図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Dynamic Electrical Characteristics
    7. 6.7 Switching Characteristics
    8. 6.8 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 12.3 コミュニティ・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 3V～4.3VのVCCで動作
  • I/Oピンは5.25V許容
  • 1.8V互換の制御ロジック
  • 電源オフ保護に対応: VCC = 0V時、I/OピンはHi-Z
  • RON = 10Ω (最大値)
  • ΔRON = 0.35Ω (標準値)
  • Cio(ON) = 7.5pF (標準値)
  • 低消費電力: 1uA (最大値)
  • -3dBの帯域幅 = 900MHz (標準値)
  • JESD 78、クラスII準拠で100mA超の
    ラッチアップ性能 (1)
  • ESD性能はJESD 22に準拠しテスト済み
    • 人体モデルで8000V (A114-B、クラスII)
    • 荷電デバイス・モデルで1000V (C101)
  • I/OポートからGNDへのESD性能 (2)
    • 人体モデルで15000V
    • 1. ENおよびSEL入力を除く。
    2. 高電圧HBMは、標準のHBMテスト(A114-B、クラスII)に加えて実行されたもので、GNDを基準としてテストされたI/Oポートにのみ適用されます。