JAJSJ53B may   2020  – april 2023 TPD3S713-Q1 , TPD3S713A-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Revision History
  6. 5 Pin Configuration and Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  8. 7 Parameter Measurement Information
  9. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 FAULT Response
      2. 8.3.2 Cable Compensation
        1. 8.3.2.1 Design Procedure
      3. 8.3.3 DP and DM Protection
      4. 8.3.4 VBUS OVP Protection
      5. 8.3.5 Output and DP or DM Discharge
      6. 8.3.6 Overcurrent Protection
      7. 8.3.7 Undervoltage Lockout
      8. 8.3.8 Thermal Sensing
      9. 8.3.9 Current-Limit Setting
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 Device Truth Table (TT)
      2. 8.4.2 Client Mode
      3. 8.4.3 High-Bandwidth Data-Line Switch
  10. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Input Capacitance
        2. 9.2.2.2 Output Capacitance
        3. 9.2.2.3 BIAS Capacitance
        4. 9.2.2.4 Output and BIAS TVS
      3. 9.2.3 Application Curves
    3. 9.3 Power Supply Recommendations
    4. 9.4 Layout
      1. 9.4.1 Layout Guidelines
      2. 9.4.2 Layout Example
  11. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 Documentation Support
      1. 10.1.1 Related Documentation
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 Trademarks
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • RVC|20
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み：
    • デバイス温度グレード 1：-40℃～+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル H2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C5
  • VBUS のバッテリ短絡保護 (最高 18V) とグランド短絡保護
  • DM_IN、DP_IN の各ピンに、バッテリとの短絡 (最大 18V) や VBUS との短絡に対する保護機能を搭載
  • DP_IN、DM_IN、VBUS は IEC 61000-4-2 規格に準拠
    • ±8kV 接触放電および ±15kV 気中放電
  • DP_IN、DM_IN、VBUS は ISO 10605 (330pF、330Ω) 規格に準拠
    • ±8kV 接触放電および ±15kV 気中放電
  • 高速データ・スイッチ (1230MHz の BW (帯域幅))
  • 4.5V～5.5V の入力動作範囲
  • 電流制限を 50mA～600mA に調整可能 (200mA で精度 ±13.5%)
  • 73mΩ (標準値) のハイサイド MOSFET を内蔵
  • 最大連続出力電流：500mA
  • VBUS ケーブル補償
  • 20 ピン QFN (3mm × 4mm) パッケージ