TPD4E02B04-Q1は、USB Type-CおよびHDMI 2.0回路保護に対応した車載用双方向TVS ESD保護ダイオード・アレイです。TPD4E02B04-Q1は、ISO 10605 (330pF、330Ω) ESD規格に準拠し、最大10kVのESD衝撃を放散できます。またTPD4E02B04は、IEC 61000-4-2国際規格(レベル 4)で規定されている最大レベルのESD耐性を備えています。
このデバイスはチャネル当たりのIO容量が0.25pFであることから、USB 3.1 Gen2など、10Gbpsまでの高速インターフェイスの保護に理想的です。動的抵抗とクランピング電圧が低いため、過渡事象に対してシステム・レベルの保護が保証されます。
TPD4E02B04-Q1は、業界標準のUSON-10 (DQA)パッケージで供給されます。このパッケージはフロースルー配線と0.5mmピン・ピッチを採用しているため、実装が容易で、設計時間を短縮できます。
このデバイスには、車載用認定なしのバージョンとしてTPD4E02B04も用意されています。
型番 | パッケージ | 本体サイズ(公称) |
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TPD4E02B04-Q1 | USON (10) | 2.50mm×1.00mm |
PIN | TYPE | DESCRIPTION | |
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NAME | NO. | ||
GND | 3 | Ground | Ground. Connect to ground |
GND | 8 | ||
IO1 | 1 | I/O | ESD protected channel |
IO2 | 2 | ||
IO3 | 4 | ||
IO4 | 5 | ||
NC | 6 | NC | Not connected; Used for optional straight-through routing. Can be left floating or grounded |
NC | 7 | ||
NC | 9 | ||
NC | 10 |
MIN | MAX | UNIT | ||
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Electrical fast transient | IEC 61000-4-5 (5/50 ns) at 25°C | 80 | A | |
Peak pulse | IEC 61000-4-5 power (tp - 8/20 µs) at 25°C | 17 | W | |
IEC 61000-4-5 Ccurrent (tp - 8/20 µs) at 25°C | 2 | A | ||
TA | Operating free-air temperature | –40 | 125 | °C |
Tstg | Storage temperature | –65 | 155 | °C |
VALUE | UNIT | |||
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V(ESD) | Electrostatic discharge | Human-body model (HBM), per AEC Q100-002(1) | ±2500 | V |
Charged-device model (CDM), per AEC Q100-011 | ±1000 |
VALUE | UNIT | |||
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V(ESD) | Electrostatic discharge | IEC 61000-4-2 contact discharge | ±12000 | V |
IEC 61000-4-2 air-gap discharge | ±15000 |
VALUE | UNIT | ||||
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V(ESD) | Electrostatic discharge | ISO 10605 330 pF, 330 Ω, IO | Contact discharge | ±10000 | V |
Air-gap discharge | ±10000 |
MIN | MAX | UNIT | ||
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VIO | Input pin voltage | –3.6 | 3.6 | V |
TA | Operating free-air temperature | –40 | 125 | °C |
THERMAL METRIC(1) | TPD4E02B04-Q1 | UNIT | |
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DQA (USON) | |||
10 PINS | |||
RθJA | Junction-to-ambient thermal resistance | 348.7 | °C/W |
RθJC(top) | Junction-to-case (top) thermal resistance | 214.1 | °C/W |
RθJB | Junction-to-board thermal resistance | 270.7 | °C/W |
ψJT | Junction-to-top characterization parameter | 81.7 | °C/W |
ψJB | Junction-to-board characterization parameter | 270.7 | °C/W |
RθJC(bot) | Junction-to-case (bottom) thermal resistance | N/A | °C/W |
PARAMETER | TEST CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNIT | |
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VRWM | Reverse stand-off voltage | IIO < 10 nA | –3.6 | 3.6 | V | |
VBRF | Breakdown voltage, any IO pin to GND(1) | IIO = 1 mA, TA = 25°C | 5.5 | 6.4 | 7.5 | V |
VBRR | Breakdown voltage, GND to any IO pin(1) | IIO = 1 mA, TA = 25°C | –5.5 | –6.4 | –7.5 | V |
VHOLD | Holding voltage(2) | IIO = 1 mA | 5.8 | V | ||
VCLAMP | Clamping voltage | IPP = 1 A, TLP, from IO to GND | 6.6 | V | ||
IPP = 5 A, TLP, from IO to GND | 8.8 | |||||
IPP = 1 A, TLP, from GND to IO | 6.6 | |||||
IPP = 5 A, TLP, from GND to IO | 8.8 | |||||
ILEAK | Leakage current, any IO to GND | VIO = ±2.5 V | 10 | nA | ||
RDYN | Dynamic resistance | IO to GND | 0.47 | Ω | ||
GND to IO | 0.47 | |||||
CL | Line capacitance | VIO = 0 V, f = 1 MHz, IO to GND, TA = 25°C | 0.25 | 0.33 | pF | |
ΔCL | Variation of line capacitance | Delta of capacitance between any two IO pins, VIO = 0 V, f = 1 MHz, TA = 25°C, GND = 0 V | 0.01 | 0.07 | pF | |
CCROSS | Channel to channel capacitance | Capacitance from one IO to another, VIO = 0 V, f = 1 MHz, GND = 0 V | 0.13 | 0.16 | pF |