JAJSOU3 March   2024 TPS1213-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Switching Characteristics
  7. Parameter Measurement Information
  8. Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Charge Pump and Gate Driver Output (VS, G1PU, G1PD, BST, SRC)
      2. 7.3.2 Capacitive Load Driving
        1. 7.3.2.1 Using Low Power Bypass FET (G2 drive) for Load Capacitor Charging
        2. 7.3.2.2 Using Main FET's (G1 drive) Gate Slew Rate Control
      3. 7.3.3 Short-Circuit Protection
        1. 7.3.3.1 Short-Circuit Protection With Auto-Retry
        2. 7.3.3.2 Short-Circuit Protection With Latch-Off
      4. 7.3.4 Device Functional Modes
        1. 7.3.4.1 State Diagram
        2. 7.3.4.2 State Transition Timing Diagram
        3. 7.3.4.3 Power Down
        4. 7.3.4.4 Shutdown Mode
        5. 7.3.4.5 Low Power Mode
        6. 7.3.4.6 Active Mode
      5. 7.3.5 Undervoltage Protection (UVLO)
      6. 7.3.6 Reverse Polarity Protection
      7. 7.3.7 Short-Circuit Protection Diagnosis (SCP_TEST)
  9. Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
      1. 8.1.1 Application Limitations
        1. 8.1.1.1 Short-Circuit Protection Delay
        2. 8.1.1.2 Short-Circuit Protection and Load wakeup Threshold
    2. 8.2 Typical Application 1: Driving Power at all times (PAAT) Loads With Automatic Load Wakeup
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 Typical Application 2: Driving Power at all times (PAAT) Loads With Automatic Load Wakeup and Output Bulk Capacitor Charging
      1. 8.3.1 Design Requirements
      2. 8.3.2 External Component Selection
      3. 8.3.3 Application Curves
    4. 8.4 TIDA-020065: Automotive Smart Fuse Reference Design driving Power at all times (PAAT) Loads With Automatic Load Wakeup, Output Bulk Capacitor Charging, Bi-directional Current Sensing and Software I2t
    5. 8.5 Power Supply Recommendations
    6. 8.6 Layout
      1. 8.6.1 Layout Guidelines
      2. 8.6.2 Layout Example
  10. Device and Documentation Support
    1. 9.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 9.2 サポート・リソース
    3. 9.3 Trademarks
    4. 9.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 9.5 用語集
  11. 10Revision History
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 11.1 Tape and Reel Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

概要

TPS12130-Q1 は、保護および診断機能を備えた、45V、低 IQ スマート ハイサイド ドライバです。本デバイスは、動作電圧範囲が 3.5V~40V と広く、12V のシステム設計に適しています。このデバイスは、最低 -40V の負の電源電圧に耐えられ、負荷を保護できます。

TPS12130-Q1 は、2 つのゲート ドライブを備えており、1 つはメイン パスの MOSFET を駆動するための 1.69A ソースおよび 2A シンク能力、もう 1 つは低消費電力パスのための 165µA ソースおよび 2A シンク能力です。

LPM = Low の低消費電力モードでは、低消費電力パスの FET をオン状態に維持し、メイン FET をオフにします。このモードでは、デバイスが消費するのは、35µA (標準値) という低い IQ です。アクティブ状態に移行する自動負荷ウェークアップ スレッショルドは、ISCP/LWU ピンを使用して調整できます。EN/UVLO が Low のとき、IQ は 1μA (代表値) まで減少します。

このデバイスは、MOSFET VDS センシング、または外付けの RSNS 抵抗を使用して、短絡保護を調整可能です 。自動リトライおよびラッチオフ フォルト動作は設定可能です。このデバイスは、SCP_TEST 入力の外部制御を使用した、内蔵の短絡コンパレータを診断する機能も備えています。

TPS12130-Q1 は、19 ピンの VSSOP パッケージで供給されます。

パッケージ情報
部品番号 パッケージ (1) パッケージ サイズ (公称) (2)
TPS12130-Q1 DGX (VSSOP、19) 5.1mm × 3.0mm
利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
パッケージ サイズ (長さ × 幅) は公称値であり、該当する場合はピンも含まれます。
TPS1213-Q1 常時オンの車載用
                                                  eFuse常時オンの車載用 eFuse
TPS1213-Q1 常時オンの車載用 eFuse でバック
                                                  ツー バック FET を駆動常時オンの車載用 eFuse でバック ツー バック FET を駆動