JAJSQ15C September   2024  – August 2025 TPS1685

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 ロジック・インターフェイス
    7. 6.7 タイミング要件
    8. 6.8 スイッチング特性
    9. 6.9 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  低電圧保護
      2. 7.3.2  挿入遅延
      3. 7.3.3  過電圧保護
      4. 7.3.4  突入電流、過電流、および短絡保護
        1. 7.3.4.1 スルー レート (dVdt) および突入電流制御
          1. 7.3.4.1.1 スタートアップ タイムアウト
        2. 7.3.4.2 定常状態の過電流保護 (サーキット ブレーカ)
        3. 7.3.4.3 起動時のアクティブ電流制限
        4. 7.3.4.4 短絡保護
      5. 7.3.5  アナログ負荷電流モニタ (IMON)
      6. 7.3.6  モード選択 (MODE)
      7. 7.3.7  並列デバイス同期 (SWEN)
      8. 7.3.8  複数の eFuse をスタックして無制限のスケーラビリティを実現
        1. 7.3.8.1 起動中の電流バランスの維持
      9. 7.3.9  アナログ接合部温度モニタ (TEMP)
      10. 7.3.10 過熱保護
      11. 7.3.11 フォルト応答および表示 (FLT)
      12. 7.3.12 パワー グッド表示 (PG)
      13. 7.3.13 出力放電
      14. 7.3.14 FET の正常性監視
      15. 7.3.15 シングル ポイント障害の軽減
        1. 7.3.15.1 IMON ピンのシングル ポイント障害
        2. 7.3.15.2 IREF ピンのシングル ポイント障害
        3. 7.3.15.3 ITIMER ピンのシングル ポイント障害
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 シングル デバイス、スタンドアロン動作
      2. 8.1.2 複数デバイス、並列接続
    2. 8.2 代表的なアプリケーション：データ センター サーバーにおける 54V パワー パス保護
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
      1. 8.3.1 過渡保護
      2. 8.3.2 出力短絡測定
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • VMA|23
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

–40°C ≤ TJ ≤ +125°C、VIN = VDD = 50V、OUT = 開、RILIM = 931Ω、RIMON = 2.55kΩ、VIREF = 1V、FLT = 3.3V への 33kΩ プルアップ、PGOOD = 3.3V への 33kΩ プルアップ、COUT = 10µF、CIN = 10nF、dVdT = 開、ITIMER = Open、VEN/UVLO = 2V、TEMP = オープン、MODE = オープン。  (全電圧は GND 基準です、(特に記述のない限り))
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
入力電源 (VDD)
VIN 入力電圧範囲 9 80 V
VDD 入力電圧範囲 VIN 80 V
IQON(VDD) VDD ON 状態静止電流 VDD > VUVPR、VEN ≥ VUVLOR、VOVP < VOVPF 0.6 4 mA
VUVPR VDD 低電圧保護スレッショルド立ち上がり VDD 立ち上がり 8.5 8.9 V
VUVPF VDD 低電圧保護スレッショルド立ち下がり VDD 立ち下がり 6.7 7.05 V
VUVPHYS UVP ヒステリシス VDD 1.5 V
入力電源 (IN)
VUVPR(VIN) VIN 低電圧保護スレッショルド VIN 立ち上がり 8.45 9 V
VUVPF(VIN) VIN 低電圧保護スレッショルド VIN 立ち下がり 6.5 7.05 V
IQON(VIN) VIN ON 状態静止電流 VEN ≥ VUVLOR 1.69 mA
IQOFF(VIN) VIN OFF 状態電流   VSDR < VEN < VUVLO 47 µA
ISD(VIN) VIN シャットダウン電流 VEN < VSDF 46 µA
イネーブル / 低電圧誤動作防止 (EN/UVLO)
VUVLO(R) オンにするための EN/UVLO ピン電圧スレッショルド、立ち上がり EN/UVLO 立ち上がり 1.18 1.21 1.23 V
VUVLO(F) オフにして QOD を作動させるための EN/UVLO ピン電圧スレッショルド、立ち下がり (プライマリ デバイス) EN/UVLO 立ち下がり 1 1.12 1.14 V
VUVLOF オフにして QOD を作動させるための EN/UVLO ピン電圧スレッショルド、立ち下がり (セカンダリ デバイス) EN/UVLO 立ち下がり 1 V
VUVLOHYS UVLO ヒステリシス 89 mV
VSDF シャットダウン スレッショルド EN/UVLO 立ち下がり 0.4 0.42 V
VSDR シャットダウン スレッショルド EN/UVLO 立ち上がり  0.5 0.55 V
IENLKG EN/UVLO ピンのリーク電流 -100 100 nA
過電圧保護 (IN)
VOVP(R) 過電圧保護スレッショルド (立ち上がり) OVP ピンの立ち上がり 1.11 1.17 1.20 V
VOVP(F) 過電圧保護スレッショルド (立ち下がり) OVP ピンの立ち下がり 1.08 1.12 1.15 V
VOVPHYS 過電圧保護スレッショルド (ヒステリシス) 57 mV
IOVPLKG OVP ピンのリーク電流 VOVP = 1.2V -100 100 nA
VOVPR(IN) 内部過電圧保護スレッショルド (立ち上がり) VIN 立ち上がり 84 90.8 95 V
VOVPF(IN) 内部過電圧保護スレッショルド (立ち下上がり) VIN 立ち下がり 77 84.5 90 V
オン抵抗 (IN - OUT)
RON オン状態抵抗 IOUT = 12A、TJ = 25℃ 3.5 5.55 mΩ
RON オン状態抵抗 IOUT = 12A、TJ = –40°C～125°C 6.1 mΩ
電流制限基準 (IREF)
VIREF IREF ピンの推奨電圧範囲 0.3 1.2 V
IIREF IREF ピン内部ソース電流 VIREF = 1 V 24.2 25 25.8 µA
電流制限 (ILIM)
GILIM(LIN) 電流モニタ ゲイン (ILIM:IOUT) 対 IOUT。 デバイスが定常状態 (PGアサート)、IOUT = 12A 17 18 20.6 µA/A
Istart-up peak 起動時のピーク電流 (Ipeak) VOUT> VFB、GHI はデアサートされます。VIN≤60V 0.5 A
VFB フォールドバック電圧 2 V
出力電流モニタと過電流保護 (IMON)
GIMON 電流モニタ ゲイン (IMON:IOUT) デバイスが定常状態 (PGアサート)、12A ≤ IOUT ≤ 20A の場合 17.7 18.18 18.49 µA/A
GIMON 電流モニタ ゲイン (IMON:IOUT) デバイスが定常状態 (PGアサート)、IOUT = 4A 17.4 18.31 19.1 µA/A
IOCP IOUT 電流制限トリップ (回路ブレーカ) スレッショルド RIMON = 2.55kΩ、VIREF = 1V 21.2 21.7 22.3 A
電流故障タイマ (ITIMER)
IITMR ITIMER ピンの内部放電電流 IOUT > IOCP、ITIMER ↓ 1.77 2.2 2.6 µA
RITMR ITIMER ピンの内部プルアップ抵抗
5		 12.3 23 kΩ
VINT ITIMER ピンの内部プルアップ電圧 IOUT < IOCP 4.4 5 5.6 V
ΔVITMR ITIMER 放電電圧 IOUT > ITRIP、ITIMER ↓ 1.28 1.5 1.8 V
ΔVITMR/IITMR  ITIMER 放電電圧と放電電流の比率 IOUT > ITRIP、ITIMER ↓ 0.49 0.72 0.97 V/µA
短絡保護
IFFT 定常状態における固定高速トリップ スレッショルド (プライマリ) (TPS1685xA のみ) PG を High にアサート (MODE = Open) 83 A
IFFT 定常状態における固定高速トリップ スレッショルド (プライマリ) (TPS1685x) PG を High にアサート (MODE = Open) 73 A
IFFT 定常状態における固定高速トリップ スレッショルド (プライマリ) (TPS1685xA のみ) PG を High にアサート (MODE =開)、T J = 25°C～125°C  65 A
IFFT 定常状態における固定高速トリップ スレッショルド (プライマリ) (TPS1685x) PG を High にアサート (MODE =開)、T J = 25°C～125°C  55 A
IFFT 定常状態における固定高速トリップ スレッショルド (セカンダリ) (TPS1685A0 のみ) PG を High にアサート (MODE = GND) 105 A
IFFT 定常状態における固定高速トリップ スレッショルド (セカンダリ) (TPS1685x) PG を High にアサート (MODE = GND) 95 A
ISFT スケーラブルな高速トリップ電流 RSFT_SEL < 95kΩ、PG を High にアサート (MODE = オープン) 38.3 A
ISFT スケーラブルな高速トリップ電流 105kΩ< RSFT_SEL < 195kΩ、 PG を High にアサート(MODE = オープン) 2.5 × IOCP A
ISFT スケーラブルな高速トリップ電流 105kΩ < RSFT_SEL < 195kΩ、PG を High にアサート (MODE = GND) 2.8 × IOCP A
ISFT スケーラブルな高速トリップ電流 205kΩ< RSFT_SEL < 295kΩ、 PG を High にアサート(MODE = オープン) 2 × IOCP A
ISFT スケーラブルな高速トリップ電流 205kΩ < RSFT_SEL < 295kΩ、PG を High にアサート (MODE = GND) 2.26 × IOCP A
ISFT スケーラブルな高速トリップ電流 305kΩ < RSFT_SEL、PG を High にアサート (MODE =オープン) 1.5 × IOCP A
ISFT スケーラブルな高速トリップ電流 305kΩ < RSFT_SEL、PG を High にアサート (MODE = GND) 1.71 × IOCP A
ISFT(SAT) スケーラブルな高速トリップ電流 (突入電流) 電源投入時、PGOOD は Low 2 A
アクティブ電流共有
RON(ACS) アクティブ電流共有時の RON VILIM > 1.1 x (1/3) × VIREF 4.38 6.9 mΩ
GIMON(ACS) アクティブ電流制限時の IMON:IOUT 比 PG を High にアサート、VILIM > 1.1 x VIREF  17.24 18.49
19.84		 µA/A
CLREF(ACS) アクティブ電流共有トリガ スレッショルドと定常状態回路ブレーカ スレッショルドの比 PG は High にアサート 36.67 %
突入電流保護 (DVDT)
IDVDT dVdt ピン充電電流 (プライマリ / スタンドアロン モード) MODE = オープン 1.5 2.0 3 µA
GDVDT dVdt ゲイン  0.4 V < VdVdt < 2.4 V 22 25 28 V/V
IDVDTLKG dVdt ピンのリーク電流 (2 次モード) MODE = GND -100 100 nA
RDVDT dVdt ピンから GND への放電抵抗 500 Ω
GHI
VGS(GHI) 立ち上がり  GHI/PG がアサートされている時の G-S スレッショルド 7 V
RON(GHI) GHI/PG がアサートされている時の Ron
3.8		 mΩ
クイック出力放電 (QOD)
IQOD クイック出力放電プルダウン電流 VSD(R) < VEN < VUVLO、–40 < Tj < 125 ℃ 17 22 25 mA
温度センサ出力 (TEMP)
GTMP 温度センサ ゲイン VIN = 51V 2.6 2.73 3.1 mV/℃
VTMP TEMP ピン出力電圧 TJ = 25 ℃、VIN = 51 V 670 678 690 mV
ITMPSRC TEMP ピン ソース電流 VIN = 51V 110 119 133 µA
ITMPSNK TEMP ピン シンク電流 VIN = 51V 8 10 14 µA
過熱保護 (OTP)
TSD 絶対サーマル シャットダウン立ち上がりスレッショルド TJ 立ち上がり、VIN = 51V 150 °C
TSDHYS 絶対サーマル シャットダウン ヒステリシス TJ 立ち下がり、VIN = 51V 13 °C
FET 正常性モニタ
VDSFLT FET D-S 故障スレッショルド SWEN = L、VIN = 51V 0.5 V
VDSOK FET D-S 故障回復スレッショルド  SWEN = L、VIN = 51V 0.64 V
シングル ポイント障害 (IMON、IREF、ITIMER)
IOC_BKP バックアップ過電流保護スレッショルド IMON はグランドへ短絡 38.3 A