TPS1H200A-Q1 デバイスは、完全に保護されたシングル・チャネルのハイサイド・パワー・スイッチで、200mΩ の NMOS パワー FET を内蔵しています。
電流制限を調整可能なため、突入電流や過負荷電流を制限し、システムの信頼性を向上できます。電流制限の精度が高いので、過負荷保護が強化され、前段の電源設計が簡単になります。電流制限以外の設定も変更できるため、機能、コスト、放熱について柔軟な設計が可能です。
このデバイスは完全な診断機能をサポートし、状態をデジタル出力します。開放負荷検出は、オンとオフの両方の状態で利用可能です。このデバイスは、MCUありでも、なしでも動作できます。スタンドアロン・モードにより、孤立したシステムでもこのデバイスを使用できます。
部品番号 | パッケージ | 本体サイズ (公称) |
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TPS1H200A-Q1 | HVSSOP (8) | 3.00mm × 3.00mm |
Changes from Revision C (December 2019) to Revision D (September 2021)
Changes from Revision A (April 2018) to Revision B (December 2019)
Changes from Revision * (February 2018) to Revision A (April 2018)
PIN | I/O | DESCRIPTION | |
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NAME | NO. | ||
CL | 4 | O | Adjustable current limit. Connect to device GND if external current limit is not used. |
DELAY | 5 | I/O | Function configuration when current limit; internal pullup |
DIAG_EN | 2 | I | Enable the diagnostic function |
FAULT | 3 | O | Open-drain diagnostic status output. Leave floating if not used. |
GND | 6 | — | Ground |
IN | 1 | I | Input control for output activation; internal pulldown |
OUT | 7 | O | Output, source of the high-side switch, connected to the load |
VS | 8 | I | Power supply, drain for the high-side switch |
Thermal pad | — | — | Thermal pad. Connect to device GND or leave floating. |