JAJS324C February   2008  – October 2023 TPS2550 , TPS2551

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 製品比較表
  7. 6 ピン構成および機能
  8. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 代表的特性
  9. 8 パラメータ測定情報
  10. 9 詳細説明
    1. 9.1 概要
    2. 9.2 機能ブロック図
    3. 9.3 機能説明
      1. 9.3.1 過電流
      2. 9.3.2 逆電圧保護
      3. 9.3.3 FAULT 応答
      4. 9.3.4 低電圧誤動作防止 (UVLO)
      5. 9.3.5 イネーブル (EN または EN)
      6. 9.3.6 温度検出
      7. 9.3.7 デバイスの機能モード
    4. 9.4 プログラミング
      1. 9.4.1 電流制限スレッショルドのプログラミング
  11. 10アプリケーションと実装
    1. 10.1 アプリケーション情報
    2. 10.2 代表的なアプリケーション
      1. 10.2.1 2 レベル電流制限回路
      2. 10.2.2 設計要件
      3. 10.2.3 詳細設計手順
        1. 10.2.3.1 最小電流制限を超える設計
        2. 10.2.3.2 最大電流制限を下回る設計
        3. 10.2.3.3 入力および出力容量
      4. 10.2.4 自動再試行機能
      5. 10.2.5 ラッチオフ機能
      6. 10.2.6 USB 電源スイッチとしての代表的なアプリケーション
        1. 10.2.6.1 設計要件
          1. 10.2.6.1.1 USB パワー・ディストリビューションの要件
        2. 10.2.6.2 詳細設計手順
          1. 10.2.6.2.1 ユニバーサル・シリアル・バス (USB) の配電要件
    3. 10.3 電源に関する推奨事項
      1. 10.3.1 セルフ・パワーおよびバス・パワーのハブ
      2. 10.3.2 低消費電力バス駆動および高電力バス駆動の機能
      3. 10.3.3 許容損失と接合部温度
    4. 10.4 レイアウト
      1. 10.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 10.4.2 レイアウト例
  12. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 11.2 サポート・リソース
    3. 11.3 商標
    4. 11.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 11.5 用語集
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.5 電気的特性

動作時の接合部温度の推奨範囲内、2.5V≦VIN≦6.5V、RILIM = 14.3kΩ、V/EN = 0V、VEN = 5.0V (特に記述のない限り)
パラメータテスト条件 (1)最小値代表値最大値単位
パワー・スイッチ
rDS(on)ドレイン - ソース間オン抵抗DBV パッケージ、TJ = 25℃94100mΩ
DBV パッケージ、-40℃≦TJ≦125℃140
DRV パッケージ、TJ = 25℃100115
DRV パッケージ、-40℃≦TJ≦105℃145
DRV パッケージ、-40℃≦TJ≦125℃150
tr立ち上がり時間、出力VIN = 6.5VCL = 1μF、RL = 100Ω
(図 8-1 を参照)		1.01.5ms
VIN = 2.5V0.651.0
tf立ち下がり時間、出力VIN = 6.5V0.20.5
VIN = 2.5V0.20.5
イネーブル入力 EN または EN
VIHHigh レベル入力電圧1.1V
VILLow レベル入力電圧0.66
IEN入力電流VEN = 0V または 6.5V、V/EN = 0V または 6.5V-0.50.5μA
tonターンオン時間CL = 1μF、RL = 100Ω (図 8-1 を参照)3ms
toffターンオフ時間3ms
電流制限
IOS短絡電流、OUT を GND に接続RILIM = 80.6kΩ160265350mA
RILIM = 38.3kΩ350550700
RILIM = 15kΩ110014501700
IOC過電流スレッショルド (負荷に供給される最大 DC 出力電流 IOUT)RILIM = 80.6kΩ340365390
RILIM = 38.3kΩ670715755
RILIM = 15kΩ160017001800
tIOS短絡に対する応答時間VIN = 5.0V (図 8-2 を参照)2µs
逆電圧保護
コンパレータの逆電圧トリップ・ポイント
(VOUT - VIN)		95135190mV
逆電圧条件から MOSFET がターンオフするまでの時間VIN = 5.0V357ms
電源電流
IIN_off消費電流、Low レベル出力VIN = 6.5V、OUT は無負荷、VEN = 6.5V または VEN = 0V、14.3kΩ≦RILIM≦80.6kΩ0.11μA
IIN_on消費電流、High レベル出力VIN = 6.5V、OUT は無負荷、VEN = 0V または VEN = 6.5VRILIM = 15kΩ150μA
RILIM = 80.6kΩ130μA
IREV逆リーク電流VOUT = 6.5V、VIN = 0VTJ = 25℃0.011μA
低電圧誤動作防止
VUVLOLow レベル入力電圧、INVIN の立ち上がり2.352.45V
ヒステリシス、INTJ = 25℃25mV
FAULT フラグ
VOL出力 Low 電圧、FAULTI/FAULT = 1mA180mV
オフ状態リーケージV/FAULT = 6.5V1μA
FAULT グリッチ除去過電流条件による FAULT のアサートまたはデアサート57.510ms
逆電圧条件による FAULT のアサートまたはデアサート246ms
サーマル・シャットダウン
サーマル・シャットダウン・スレッショルド155℃
電流制限のサーマル・シャットダウン・スレッショルド135℃
ヒステリシス15℃
(1) パルス・テスト手法を使用することで、接合部温度を周囲温度に近い値に維持できますが、熱による影響は別途考慮に入れる必要があります。