JAJSC54E May   2006  – January 2024 TPS28225

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Switching Characteristics
    7. 5.7 Typical Characteristics
  7. 6 Detailed Description
    1. 6.1 Overview
    2. 6.2 Functional Block Diagram
    3. 6.3 Feature Description
      1. 6.3.1 Undervoltage Lockout (UVLO)
      2. 6.3.2 Output Active Low
      3. 6.3.3 Enable/Power Good
      4. 6.3.4 3-State Input
        1. 6.3.4.1 TPS28225 3-State Exit Mode
        2. 6.3.4.2 External Resistor Interference
      5. 6.3.5 Bootstrap Diode
      6. 6.3.6 Upper and Lower Gate Drivers
      7. 6.3.7 Dead-Time Control
      8. 6.3.8 Thermal Shutdown
    4. 6.4 Device Functional Modes
  8. 7 Application and Implementation
    1. 7.1 Application Information
    2. 7.2 Typical Application
      1. 7.2.1 Design Requirements
      2. 7.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 7.2.2.1 Four Phases Driven by TPS28225 Driver
        2. 7.2.2.2 Switching The MOSFETs
        3. 7.2.2.3 List of Materials
      3. 7.2.3 Application Curves
    3. 7.3 System Examples
  9. 8 Power Supply Recommendations
  10. 9 Layout
    1. 9.1 Layout Guidelines
    2. 9.2 Layout Example
  11. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 Device Support
      1. 10.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 10.2 Documentation Support
      1. 10.2.1 Related Documentation
    3. 10.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 10.4 サポート・リソース
    5. 10.5 Trademarks
    6. 10.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 10.7 用語集
  12. 11Revision History
  13. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 14ns の適応型デッド タイムで 2 個の N チャネル MOSFET を駆動
  • 広いゲート駆動電圧範囲：4.5V～8.8V (7V～8Vで最大効率)
  • 広いパワー システム トレイン入力電圧範囲：3V～27V
  • 広い入力 PWM 信号範囲：2.0V～13.2V 振幅
  • 1 相あたり 40A 以上の電流で MOSFET を駆動可能
  • 高周波動作：14ns の伝搬遅延と 10ns の立ち上がり / 立ち下がり時間により、FSW – 2MHz が可能
  • 30ns未満の入力 PWM パルスを伝播可能
  • ローサイド ドライバのシンク オン抵抗 (0.4Ω) により、dV/dTに起因する貫通電流を防止
  • 3ステートPWM入力による電源段のシャットダウン
  • イネーブル（入力）信号とパワー グッド（出力）信号を同じピンに割り当てることでスペースを節約
  • サーマル シャットダウン
  • UVLO保護
  • 内部ブートストラップ ダイオード
  • 経済的な SOIC-8 および放熱強化された 3mm × 3mm VSON-8 パッケージ
  • 一般的な3ステート入力ドライバを高性能で置き換え可能