JAJSS14B December   2024  – July 2025 TPS4HC120-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 タイミング特性、SNS
    7. 6.7 スイッチング特性
    8. 6.8 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 ピンの電流および電圧の規則
      2. 7.3.2 低電力モード
        1. 7.3.2.1 LPM の開始
        2. 7.3.2.2 LPM 中
        3. 7.3.2.3 LPM の終了
      3. 7.3.3 高精度電流センス
      4. 7.3.4 調整可能な電流制限
      5. 7.3.5 誘導性負荷のスイッチオフ クランプ
      6. 7.3.6 フォルト検出および通知
        1. 7.3.6.1 診断イネーブル機能
        2. 7.3.6.2 電流センス回路図
        3. 7.3.6.3 FAULT通知
        4. 7.3.6.4 フォルト表
      7. 7.3.7 全診断機能
        1. 7.3.7.1 GND 短絡および過負荷保護
        2. 7.3.7.2 オープン負荷の検出
          1. 7.3.7.2.1 チャネル オン
          2. 7.3.7.2.2 チャネル オフ
        3. 7.3.7.3 バッテリへの短絡の検出
        4. 7.3.7.4 逆極性およびバッテリ保護
        5. 7.3.7.5 サーマルフォルト検出
          1. 7.3.7.5.1 過熱保護動作
      8. 7.3.8 全保護機能
        1. 7.3.8.1 UVLO 保護
        2. 7.3.8.2 GND 喪失保護
        3. 7.3.8.3 電源喪失保護
        4. 7.3.8.4 逆極性保護
        5. 7.3.8.5 MCU I/O の保護
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 作業モード
        1. 7.4.1.1 SLEEP
        2. 7.4.1.2 診断
        3. 7.4.1.3 アクティブ
        4. 7.4.1.4 スタンバイ遅延
        5. 7.4.1.5 低電力モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 EMC 過渡外乱テスト
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
        1. 8.4.2.1 GND ネットワークなし
        2. 8.4.2.2 GND ネットワークあり
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 9.2 サポート・リソース
    3. 9.3 商標
    4. 9.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 9.5 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DGQ|28
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

VBB = 6V ～ 18V、TA = –40°C ～ +125°C (特に記述のない限り)。標準的なアプリケーションは 13.5V、1A、RILIM = オープン (特に記述のない限り)。デジタル入力ピンは EN1、EN2、EN3、EN4、SEL0、SEL1、DIAG_EN です。
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
入力電圧および電流
VUVLOR VBB 低電圧誤動作防止の立ち上がり電圧 デバイスの GND ピンに関して測定 3.2 3.6 4.0 V
VUVLOF VBB 低電圧誤動作防止の立ち下がり電圧 デバイスの GND ピンに関して測定 2.5 2.75 3.0 V
VClamp VDS クランプ電圧 TJ = 25℃ 35 43 V
TJ = -40℃ ～ +150℃ 34 45
VOUT、Clamp VOUT クランプ電圧  TJ = -40℃ ～ +150℃ -31 -23 V
IQ すべてのチャネルの静止電流を有効化 VBB ≤ 28V、VENx = VDIAG_EN = 5V、IOUTx = 0A 3.8 4.5 mA
IQ、DIAG_DIS 静止電流チャネルを有効化、診断機能を無効化 VBB ≤ 28V
VEN = 5V VDIA_EN = 0V、IOUTx = 0A		 3.8 4.2 mA
ISB スタンバイ モードでの消費電流 VBB ≤ 18V、ISNS = 0mA
VENx = 0V、VDIAG_EN = 5V、VOUT = 0V		 3.8 4.5 mA
tSTBY スリープ モードに移行する前にスタンバイ モードにとどまるまでの遅延時間 VENx = VDIAG_EN = 5V ～ 0V 20 ms
ISLEEP スリープ電流 (MOSFET チャネルを含むデバイスの合計リーク電流) VBB ≤ 18V、VENx = VDIAG_EN = 0V、VOUT = 0V TA = 25℃ 0.5 µA
TA = 125℃ 2
IOUT(sleep) チャネルあたりの出力リーク電流 VBB ≤ 18V、VENx = VDIAG_EN = 0V、VOUT = 0V TA = 25℃ 0.01 0.2 µA
TA = 125℃ 0.5
ILNOM チャネルごとの連続負荷電流 すべてのチャネルを有効化 TA = 85℃ 2 A
1 チャネルを有効化 3
RON 特性
RON オン抵抗 5V < VBB ≤ 28V、
IOUT = 1A		 TJ = 25°C 120 mΩ
TJ = 150°C 250
3V ≤ VBB ≤ 5V、
IOUT = 1A		 TJ = 25°C 175
TJ = 150°C 280
ΔRON チャンネル間の RON のパーセンテージ差 5V < VBB ≤ 28V、
IOUT = 1A		 TJ = -40℃ ～ +150℃ 5 %
RON(REV) 逆極性時のオン抵抗 –18V ≤ VBB ≤ –6V TJ = 25°C 120 mΩ
TJ = 150°C 250
VF ボディダイオードの順方向導通電圧 VEN = 0V、IOUT = –0.1A 0.8 1 V
電流センス特性
KSNS 電流センス比
IOUT / I SNS		 IOUT = 1A 1040
ISNS 電流センスの電流と精度 VEN = VDIAG_EN = 5V IOUT = 2A   1.9   mA
-4 3 %
IOUT = 1.5A   1.43   mA
-4 3 %
IOUT = 750mA   0.72   mA
-4 4 %
IOUT = 300mA 0.29   mA
-5 5 %
IOUT = 100mA   0.1   mA
-12 12 %
IOUT = 75mA 0.072 mA
-16 16 %
IOUT = 30mA 0.03 mA
-35 35 %
IOUT = 15mA 0.014 mA
-75 75 %
SNS 特性
VSNSFH VSNSフォルト high-レベル VDIAG_EN = 5V、RSNS = 1kΩ 4.5 5 5.2 V
VDIAG_EN = 3.3V RSNS = 1kΩ 3.2 3.6 3.9
VDIAG_EN = 1.8V RSNS = 1kΩ 3.2 3.6 3.9
ISNSFH ISNSフォルト high-レベル VDIAG_EN > VIH、DIAG_EN 4.5 6.5 mA
VBB_ISNS フル電流センスとフォルト機能に必要な VBBヘッドルーム VDIAG_EN = 3.3V デバイスの GND ピンに関して測定 5 V
VDIAG_EN = 5V 6.5
電流制限特性
ICL ICL 電流制限設定 RILIM > 60kΩ (ILIM オープン) 3.8 4.8 5.6 A
RILIM < 1.1kΩ (ILIM = GND) 1.9 2.2 2.4
RILIM = 2.49kΩ 1.9
RILIM = 4.87kΩ 1.7
RILIM = 9.76kΩ 1.5
RILIM = 16.5kΩ 1.1 1.25 1.4
RILIM = 23.2kΩ 1
RILIM = 31.6kΩ 0.75
RILIM = 43.2kΩ(1) 0.5
RILIM = 57.6kΩ(1) 0.19 0.25 0.32
ICL_LINPK 線形モードのピーク TJ = -40℃ ～ +150℃、
dI/dt < 0.01A/ms		 IILIM = 0.25A ～ 2.2A 1.6 × ICL A
ICL_ENPS 永久短絡を有効化するピーク電流 TJ = –40℃ ～ +150℃ 負荷 = 5µH + 100mΩ 2.25 × ICL A
IOVCR スイッチが有効な時に短絡が発生した場合の OVCR ピーク電流 TJ = –40℃ ～ +150℃ 負荷 = 5µH + 100mΩ 12 A
フォルト特性
ROL 開放負荷 (OL) 検出内部抵抗 VEN = 0V、VDIAG_EN = 5V 100 150 175 kΩ
tOL 開放負荷 (OL) 検出デグリッチ時間 VEN = 0V、VDIAG_EN = 5V、VBB – VOUT < VOLのとき、tOLよりも長い持続時間。開放負荷が検出されました。 300 500 μs
VOL 開放負荷 (OL) 検出電圧 VEN = 0V、VDIAG_EN = 5V 1.5 V
tOL1 EN 立ち下がりからの OL および STB 表示時間 VEN = 5V ～ 0V、VDIAG_EN = 5V
IOUT = 0mA、VOUT = VBB – VOL		 500 μs
tOL2 DIA_EN 立ち上がりからの OL および STB 表示時間 VEN = 0V、VDIAG_EN = 0V ～ 5V
IOUT = 0mA、VOUT = VBB – VOL		 600 μs
TABS CHxの熱シャットダウン閾値 162 ℃
THYS CHx サーマル シャットダウン ヒステリシス 30 ℃
TREL CHx 相対サーマル シャットダウン 80 ℃
tFAULT_FLT フォルト表示時間 VDIAG_EN = 5V、
故障と FLT アサーションの間の時間		 60 μs
tFAULT_SNS フォルト表示時間 VDIAG_EN = 5V
、フォルトと VSNSFH における ISNS セトリング間の時間		 60 μs
tRETRY 再試行時間 フォルト・シャットダウンからスイッチ再有効化 （サーマルシャットダウン）までの時間。 1 2 3 ms
低電力モード
ILPM、enter LPM へのエントリの負荷電流レベル t > tSTBY 83 110 137 mA
ILPM、exit LPM 終了時の負荷電流レベル 130 165 200 mA
RDSON、LPM 低消費電力モードでの RDSON 使用 50mA ILOAD 130 mΩ
IQ、LPM すべてのチャネルが有効なのときの LPM のチャネルあたりの静止電流 ILOAD = 0mA、TA = -40°C ～ +125°C 20 µA
tLPM LPM 遷移表示時間 デバイスがLPMに遷移する際
、電流の増加と LPM アサーションの間の時間		 50 μs
tWAKE LPM からの回復 / 終了時間 ウェーク割り込み (EN、DIAG_EN pin) と LPM アサート間の LPM
遷移停止時間のデバイス		 50 μs
IPKLPM、exit LPM から出るピーク電流は、電流設定が 2.25A 以下である必要があります LPM での即時シャットオフのピーク電流、
TA = -40℃ ～ +125℃		 1.6 × ILIM
デジタル入力ピンの特性
VIL、DIN 低レベルの入力電圧 GND ネットワークなし 0.8 V
VIH、DIN 高レベルの入力電圧。 GND ネットワークなし 1.5 V
VIHYS、DIN 入力電圧ヒステリシス 100 mV
RPD_DIN ENx、DIAG_EN の内部プルダウン抵抗 0.7 1 1.3 MΩ
SEL0、SEL1 の内部プルダウン抵抗 0.7 1 1.3
IIH、DIN SEL0、SEL1 の入力電流 high レベル VDINx = 5.5V 10 µA
DIAG_EN の入力電流 high レベル VDIAG_EN = 5.5V 30
IIH、DIN ENx の入力電流 high レベル VENx = 5.5V 30 µA
デジタル出力ピンの特性
VLPM LPM low 出力電圧  ILPM = 2mA 0.4 V
VFLT FLT low 出力電圧  IFLT = 2mA 0.4 V
(1) GND ネットワークを使用する場合、この電流制限設定の精度は表の値からシフトされます。