JAJSF35D September   2017  – October 2019 TPS50601A-SP

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
    1.     VIN＝PVIN＝5Vでの効率
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 概要（続き）
  6. 6 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Typical Characteristics
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1  VIN and Power VIN Pins (VIN and PVIN)
      2. 8.3.2  Voltage Reference
      3. 8.3.3  Adjusting the Output Voltage
      4. 8.3.4  Safe Start-Up Into Prebiased Outputs
      5. 8.3.5  Error Amplifier
      6. 8.3.6  Slope Compensation
      7. 8.3.7  Enable and Adjust UVLO
      8. 8.3.8  Adjustable Switching Frequency and Synchronization (SYNC)
      9. 8.3.9  Slow Start (SS/TR)
      10. 8.3.10 Power Good (PWRGD)
      11. 8.3.11 Sequencing (SS/TR)
      12. 8.3.12 Output Overvoltage Protection (OVP)
      13. 8.3.13 Overcurrent Protection
        1. 8.3.13.1 High-Side MOSFET Overcurrent Protection
        2. 8.3.13.2 Low-Side MOSFET Overcurrent Protection
      14. 8.3.14 Thermal Shutdown
      15. 8.3.15 Turn-On Behavior
      16. 8.3.16 Small Signal Model for Frequency Compensation
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 Fixed-Frequency PWM Control
      2. 8.4.2 Continuous Current Mode (CCM) Operation
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Operating Frequency
        2. 9.2.2.2 Output Inductor Selection
        3. 9.2.2.3 Output Capacitor Selection
        4. 9.2.2.4 Slow Start Capacitor Selection
        5. 9.2.2.5 Undervoltage Lockout (UVLO) Set Point
        6. 9.2.2.6 Output Voltage Feedback Resistor Selection
        7. 9.2.2.7 Compensation Component Selection
      3. 9.2.3 Parallel Operation
      4. 9.2.4 Application Curve
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 12.3 コミュニティ・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5 概要（続き）

ハイサイドFETにサイクル単位の電流制限を適用することで過負荷状況からデバイスを保護し、ローサイドのソース電流制限により電流暴走を防止します。また、ローサイドのシンク電流制限によりローサイドMOSFETをオフにすることで、過度な逆方向電流を防止します。ダイの温度がサーマル・シャットダウン温度を超えると、サーマル・シャットダウンによりデバイスがディセーブルになります。