JAJSFV8A June   2018  – December  2018 TPS51200A-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      単純化されたDDRアプリケーション
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 概要（続き）
  6. 6 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Switching Characteristics
    7. 7.7 Typical Characteristics
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Sink and Source Regulator (VO Pin)
      2. 8.3.2 Reference Input (REFIN Pin)
      3. 8.3.3 Reference Output (REFOUT Pin)
      4. 8.3.4 Soft-Start Sequencing
      5. 8.3.5 Enable Control (EN Pin)
      6. 8.3.6 Powergood Function (PGOOD Pin)
      7. 8.3.7 Current Protection (VO Pin)
      8. 8.3.8 UVLO Protection (VIN Pin)
      9. 8.3.9 Thermal Shutdown
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 S3 and Pseudo-S5 Support
      2. 8.4.2 Tracking Startup and Shutdown
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 VTT DIMM Applications
        1. 9.2.1.1 Design Parameters
        2. 9.2.1.2 Detailed Design Procedure
          1. 9.2.1.2.1 VIN Capacitor
          2. 9.2.1.2.2 VLDO Input Capacitor
          3. 9.2.1.2.3 Output Capacitor
          4. 9.2.1.2.4 Output Tolerance Consideration for VTT DIMM Applications
        3. 9.2.1.3 Application Curves
      2. 9.2.2 Design Example 1
        1. 9.2.2.1 Design Parameters
      3. 9.2.3 Design Example 2
        1. 9.2.3.1 Design Parameters
      4. 9.2.4 Design Example 3
        1. 9.2.4.1 Design Parameters
      5. 9.2.5 Design Example 4
        1. 9.2.5.1 Design Parameters
      6. 9.2.6 Design Example 5
        1. 9.2.6.1 Design Parameters
      7. 9.2.7 Design Example 6
        1. 9.2.7.1 Design Parameters
      8. 9.2.8 Design Example 7
        1. 9.2.8.1 Design Parameters
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
      1. 11.1.1 LDO Design Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
    3. 11.3 Thermal Considerations
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 デバイス・サポート
      1. 12.1.1 デベロッパー・ネットワークの製品に関する免責事項
    2. 12.2 ドキュメントのサポート
      1. 12.2.1 関連資料
    3. 12.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 12.4 コミュニティ・リソース
    5. 12.5 商標
    6. 12.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 12.7 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

9.1 Application Information

The TPS51200A-Q1 device is specifically designed to power up the memory termination rail (as shown in Figure 21). The DDR memory termination structure determines the main characteristics of the VTT rail, which is to be able to sink and source current while maintaining acceptable VTT tolerance. See Figure 22 for typical characteristics for a single memory cell.