JAJSOE8A November 2015 – July 2022 TPS51216-EP
PRODUCTION DATA
TPS51216-EP デバイスは、DDR2、DDR3、DDR3L メモリ・システム用の電源一式を、最低限の総コストと最小限の容積で実現します。同期整流降圧レギュレータ・コントローラ (VDDQ) と、2A シンク / ソースのトラッキング LDO (VTT) およびバッファ付きの低ノイズ基準電圧 (VTTREF) が内蔵されています。TPS51216-EP は、D-CAP™ モードと 300kHz/400kHz の周波数を組み合わせて使用し、使いやすさと高速な過渡応答を実現しています。VTTREF は、0.8% という非常に優れた精度で VDDQ/2 に追従します。VTT は 2A シンク / ソースのピーク電流能力を備え、10μF のセラミック・コンデンサのみで動作します。さらに、専用の LDO 電源入力が利用可能です。
TPS51216-EP は非常に優れた電源性能だけでなく、豊富な機能も備えています。柔軟な電力状態制御に対応しており、S3 では VTT を高インピーダンスにし、S4 または S5 状態では VDDQ、VTT、VTTREF を放電します (ソフト・オフ)。
部品番号(1) | パッケージ | 本体サイズ (公称) |
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TPS51216-EP | WQFN (20) | 3.00mm × 3.00mm |