DATA SHEET
TPS56x210A、4.5V～17V入力、2A、3A同期整流降圧型レギュレータ 8ピンSOT-23パッケージ
このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。
1 特長
- TPS562210A: 133mΩおよび80mΩ FET内蔵2Aコンバータ
- TPS563210A: 68mΩおよび39mΩ FET内蔵3Aコンバータ
- D-CAP2™モード制御による高速過渡応答
- 高度な Eco-mode™パルス・スキップ
- 入力電圧範囲: 4.5V～17V
- 出力電圧範囲: 0.76V～7V
- 650kHzのスイッチング周波数
- 低いシャットダウン電流：10µA未満
- 帰還電圧精度: 1%（25℃）
- プリバイアス出力電圧からのスタートアップ
- サイクルごとの過電流制限
- ヒカップ・モード低電圧保護
- 非ラッチ型のOVP、UVLO、およびTSD保護
- 調整可能なソフト・スタート
- パワー・グッド出力
2 アプリケーション
- デジタル・テレビ用電源
- 高精細 Blu-ray Disc™プレーヤー
- ネットワーク・ホーム・ターミナル
- デジタル・セットトップ・ボックス（STB）
3 概要
TPS562210AおよびTPS563210Aは、シンプルで使いやすい2A、3A同期整流降圧型コンバータで、8ピンSOT-23パッケージで供給されます。
最小の外部部品数で動作し、スタンバイ電流が小さくなるよう最適化されています。
これらのスイッチ・モード電源（SMPS）デバイスは、D-CAP2™モード制御を採用し、高速の過渡応答を実現します。また、特殊ポリマーなどの低ESR（等価直列抵抗）出力コンデンサと超低ESRセラミック・コンデンサの両方を外部補償部品なしでサポートします。
高度なEco-mode™を搭載し、軽負荷動作中も高い効率を維持します。TPS562210AおよびTPS563210Aは、8ピン1.6 × 2.9 (mm) SOT (DDF)パッケージで供給され、–40℃～85℃の周囲温度範囲で仕様が規定されています。
製品情報(1)
| 発注型番 | パッケージ | 本体サイズ(公称) |
|---|---|---|
| TPS562210A | DDF(8) | 1.60mm×2.90mm |
| TPS563210A |
- 利用可能なすべてのパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
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概略回路図
効率
4 改訂履歴
| 日付 | 改訂内容 | 注 |
|---|---|---|
| 2016年11月 | * | 初版 |
5 Pin Configuration and Functions
DDF Package
8 Pin
Top View
Pin Functions
| PIN | DESCRIPTION | |
|---|---|---|
| NAME | NO. | |
| GND | 1 | Ground pin Source terminal of low-side power NFET as well as the ground terminal for controller circuit. Connect sensitive VFB to this GND at a single point. |
| SW | 2 | Switch node connection between high-side NFET and low-side NFET. |
| VIN | 3 | Input voltage supply pin. The drain terminal of high-side power NFET. |
| PG | 4 | Power good open drain output |
| SS | 5 | Soft-start control. An external capacitor should be connected to GND. |
| VFB | 6 | Converter feedback input. Connect to output voltage with feedback resistor divider. |
| EN | 7 | Enable input control. Active high and must be pulled up to enable the device. |
| VBST | 8 | Supply input for the high-side NFET gate drive circuit. Connect 0.1 µF capacitor between VBST and SW pins. |
6 Specifications
6.1 Absolute Maximum Ratings
TJ = -40°C to 150°C (unless otherwise noted) (1)| MIN | MAX | UNIT | ||
|---|---|---|---|---|
| Input voltage range | VIN, EN | –0.3 | 19 | V |
| VBST | –0.3 | 25 | V | |
| VBST (10 ns transient) | –0.3 | 27.5 | V | |
| VBST (vs SW) | –0.3 | 6.5 | V | |
| VFB, PG | –0.3 | 6.5 | V | |
| SS | –0.3 | 5.5 | V | |
| SW | –2 | 19 | V | |
| SW (10 ns transient) | –3.5 | 21 | V | |
| Operating junction temperature, TJ | –40 | 150 | °C | |
| Storage temperature, Tstg | –55 | 150 | °C | |
(1) Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, which do not imply functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under Recommended Operating Conditions. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.
6.2 ESD Ratings
| VALUE | UNIT | |||
|---|---|---|---|---|
| V(ESD) | Electrostatic discharge | Human body model (HBM), per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) | ±2000 | V |
| Charged device model (CDM), per JEDEC specification JESD22-C101(2) | ±500 | V | ||
(1) JEDEC document JEP155 states that 500-V HBM allows safe manufacturing with a standard ESD control process.
(2) JEDEC document JEP157 states that 250-V CDM allows safe manufacturing with a standard ESD control process.
6.3 Recommended Operating Conditions
TJ = –40°C to 150°C (unless otherwise noted)| MIN | MAX | UNIT | |||
|---|---|---|---|---|---|
| VIN | Supply input voltage range | 4.5 | 17 | V | |
| VI | Input voltage range | VBST | –0.1 | 23 | V |
| VBST (10 ns transient) | –0.1 | 26 | V | ||
| VBST(vs SW) | –0.1 | 6 | V | ||
| EN | –0.1 | 17 | V | ||
| VFB, pg | –0.1 | 5.5 | V | ||
| SS | –0.1 | 5 | V | ||
| SW | –1.8 | 17 | V | ||
| SW (10 ns transient) | –3.5 | 20 | V | ||
| TA | Operating free-air temperature | –40 | 85 | °C | |
6.4 Thermal Information
| THERMAL METRIC(1) | TPS562210A | TPS563210A | UNIT | |
|---|---|---|---|---|
| DDF (8 PINS) | ||||
| RθJA | Junction-to-ambient thermal resistance | 106.1 | 87.0 | °C/W |
| RθJC(top) | Junction-to-case (top) thermal resistance | 49.1 | 41.6 | °C/W |
| RθJB | Junction-to-board thermal resistance | 10.9 | 14.6 | °C/W |
| ψJT | Junction-to-top characterization parameter | 8.6 | 4.7 | °C/W |
| ψJB | Junction-to-board characterization parameter | 10.8 | 14.6 | °C/W |
(1) For more information about traditional and new thermal metrics, see the Semiconductor and IC Package Thermal Metrics application report.
6.5 Electrical Characteristics
over operating free-air temperature range, VIN = 12 V (unless otherwise noted)| PARAMETER | TEST CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNIT | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SUPPLY CURRENT | ||||||
| IVIN | Operating – non-switching supply current | VIN current, TA = 25°C, EN = 5V, VFB = 0.8 V | 190 | 290 | µA | |
| IVINSDN | Shutdown supply current | VIN current, TA = 25°C, EN = 0 V | 3.0 | 10 | µA | |
| LOGIC THRESHOLD | ||||||
| VENH | EN high-level input voltage | EN | 1.6 | V | ||
| VENL | EN low-level input voltage | EN | 0.6 | V | ||
| REN | EN pin resistance to GND | VEN = 12 V | 225 | 450 | 900 | kΩ |
| VFB VOLTAGE AND DISCHARGE RESISTANCE | ||||||
| VFBTH | VFB threshold voltage TPS562210A | TA = 25°C, VO = 1.05 V, IO = 10 mA, Eco-mode™ operation | 772 | mV | ||
| VFB threshold voltage TPS562210A and TPS563210A | TA = 25°C, VO = 1.05 V | 758 | 765 | 772 | mV | |
| TA = 0°C to 85°C, VO = 1.05 V(1) | 753 | 777 | ||||
| TA = -40°C to 85°C, VO = 1.05 V(1) | 751 | 779 | ||||
| IVFB | VFB input current | VFB = 0.8 V, TA = 25°C | 0 | ±0.1 | µA | |
| MOSFET | ||||||
| RDS(on)h | High side switch resistance | TA = 25°C, VBST – SW = 5.5 V, TPS562210A | 133 | mΩ | ||
| TA = 25°C, VBST – SW = 5.5 V, TPS563210A | 68 | |||||
| RDS(on)l | Low side switch resistance | TA = 25°C, TPS562210A | 80 | mΩ | ||
| TA = 25°C, TPS563210A | 39 | |||||
| CURRENT LIMIT | ||||||
| IOCL | Current limit(1) | DC current, VOUT = 1.05 V , L1 = 2.2 µH, TPS562210A | 2.5 | 3.2 | 4.3 | A |
| DC current, VOUT = 1.05 V , L1 = 1.5 µH, TPS563210A | 3.5 | 4.2 | 5.3 | |||
| THERMAL SHUTDOWN | ||||||
| TSDN | Thermal shutdown threshold(1) | Shutdown temperature | 155 | °C | ||
| Hysteresis | 35 | |||||
| SOFT START | ||||||
| ISS | SS charge current | VSS = 1.2 V | 4.2 | 6 | 7.8 | µA |
| POWER GOOD | ||||||
| VTHPG | PG threshold | VFB rising (Good) | 85% | 90% | 95% | |
| VFB falling (Fault) | 85% | |||||
| IPG | PG sink current | PG = 0.5 V | 0.5 | 1 | mA | |
| OUTPUT UNDERVOLTAGE AND OVERVOLTAGE PROTECTION | ||||||
| VOVP | Output OVP threshold | OVP Detect | 125%xVfbth | |||
| VUVP | Output UVP threshold | Hiccup detect | 65%x Vfbth |
|||
| tHiccupOn | Hiccup Power On Time | Relative to soft start time | 1 | cycle | ||
| tHiccupOff | Hiccup Power Off Time | Relative to soft start time | 7 | cycles | ||
| UVLO | ||||||
| UVLO | UVLO threshold | Wake up VIN voltage | 3.45 | 3.75 | 4.05 | V |
| Hysteresis VIN voltage | 0.13 | 0.32 | 0.55 | |||
(1) Not production tested.
6.6 Timing Requirements
| MIN | TYP | MAX | UNIT | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ON-TIME TIMER CONTROL | ||||||
| tON | On time | VIN = 12 V, VO = 1.05 V | 150 | ns | ||
| tOFF(MIN) | Minimum off time | TA = 25°C, VFB = 0.5 V | 260 | 310 | ns | |
6.7 Typical Characteristics
6.7.1 TPS562210A Characteristics
VIN = 12 V (unless otherwise noted)
| VI = 5 V |
6.7.2 TPS563210A Characteristics
VIN = 12V (unless otherwise noted)
| VI = 5 V |
