JAJSL74A March   2021  – January 2024 TPS62901

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 モード選択とデバイス構成のための MODE/S-CONF
      2. 6.3.2 可変 VO 動作 (外付け分圧器)
      3. 6.3.3 設定可能な VO 動作 (VSET と内部分圧器)
      4. 6.3.4 ソフトスタート / トラッキング (SS/TR)
      5. 6.3.5 高精度のスレッショルドを持つスマート イネーブル
      6. 6.3.6 パワー グッド (PG)
      7. 6.3.7 低電圧誤動作防止 (UVLO)
      8. 6.3.8 電流制限および短絡保護
      9. 6.3.9 サーマル・シャットダウン
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 パルス幅変調 (PWM) 動作
      2. 6.4.2 AEE (自動効率拡張) 機能
      3. 6.4.3 パワーセーブ モード動作 (自動 PFM/PWM)
      4. 6.4.4 100% デューティ サイクルでの動作
      5. 6.4.5 出力放電機能
      6. 6.4.6 負荷にバイアスが印加された状態での起動
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション - 可変出力電圧
      1. 7.2.1 設計要件
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1 WEBENCH® ツールによるカスタム設計
        2. 7.2.2.2 出力電圧の設定
        3. 7.2.2.3 外付け部品の選択
        4. 7.2.2.4 インダクタの選択
        5. 7.2.2.5 コンデンサの選択
          1. 7.2.2.5.1 出力コンデンサ
          2. 7.2.2.5.2 入力コンデンサ
          3. 7.2.2.5.3 ソフトスタート コンデンサ
        6. 7.2.2.6 トラッキング機能
        7. 7.2.2.7 出力フィルタとループ安定性
      3. 7.2.3 アプリケーション曲線
      4. 7.2.4 VSET を使った設定可能な VO の代表的なアプリケーション
        1. 7.2.4.1 設計要件
        2. 7.2.4.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.4.3 アプリケーション曲線
    3. 7.3 システム例
      1. 7.3.1 LED の電源
      2. 7.3.2 複数の負荷への電力供給
      3. 7.3.3 電圧トラッキング
    4. 7.4 電源に関する推奨事項
    5. 7.5 レイアウト
      1. 7.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.5.2 レイアウト例
        1. 7.5.2.1 熱に関する注意事項
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 デバイスのサポート
      1. 8.1.1 開発サポート
        1. 8.1.1.1 WEBENCH® ツールによるカスタム設計
    2. 8.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 8.3 サポート・リソース
    4. 8.4 商標
    5. 8.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 8.6 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • RPJ|9
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.5 電気的特性

VI = 3V～17V、TJ = -40℃～+150℃、標準値は VI = 12.0V および TA = 25℃ (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
電源
IQ_PSM 動作時の静止電流 (パワーセーブ モード) Iout = 0mA、デバイスはスイッチングしていません。 4 μA
IQ_PWM 動作時の静止電流 (PWM モード) VIN= 12V、VOUT = 1.2V、Iout = 0mA、デバイスはスイッチングしています。 8 mA
ISD VIN ピンへのシャットダウン電流 EN = 0V 0.27 3.5 µA
VUVLO 低電圧誤動作防止 VIN の立ち上がり 2.85 2.925 3.0 V
低電圧誤動作防止 VIN の立ち下がり 2.7 2.775 2.85 V
VUVLO_HYS 低電圧誤動作防止ヒステリシス ヒステリシス 150 mV
制御およびインターフェイス
ILKG EN の入力リーク電流 EN = 12V 10 300 nA
VIH_MODE MODE/S-CONF ピンの High レベル入力電圧 1.0 V
TSD サーマル シャットダウン スレッショルド TJ 立ち上がり 170 ℃
サーマル シャットダウンのヒステリシス ヒステリシス 20
VIH EN ピンの High レベル入力電圧 0.97 1.0 1.03 V
VIL EN ピンの Low レベル入力電圧 0.87 0.9 0.93 V
REN_PD スマート イネーブルの内部プルダウン抵抗 EN = Low 0.5 MΩ
VPG パワー グッド スレッショルド VFB の立ち上がり。公称 VFB を基準とします。 93.5% 96% 99%
VFB の立ち下がり。公称 VFB を基準とします。 88.5% 93% 96%
ヒステリシス 1.5% 3.5% 6%
VPG_OL PG ピンの Low レベル出力電圧 ISINK = 1mA 0.4 V
IPG_LKG PG ピンへの入力リーク電流 VPG = 5V 15 550 nA
tPG_DLY パワー グッド遅延時間 VFB の立ち下がり 32 µs
RSET S-CONF/VSET 抵抗の許容誤差 -4 +4 %
CSET S-CONF/VSET ピンに接続される容量の最大値 30 pF
パワー スイッチ
ILKG_SW SW ピンへのリーク電流 VSW = VOS = 5.5V 2 7 μA
RDS_ON ハイサイド FET オン抵抗 VIN > 4V、ISW = 500mA 62 111 mΩ
ローサイド FET オン抵抗 VIN > 4V、ISW = 500mA 22 40
ILIM ハイサイド FET 電流制限値 TPS62901  1.5 1.8 2.3 A
ローサイド FET 電流制限値 TPS62901  1.2 1.6 2.0 A
ILIM_SINK ローサイド FET シンク電流制限値 1.3 1.7 2.5 A
fSW スイッチング周波数 2.5MHz 選択 2.5 MHz
TON(MIN) 最小オン時間 50 ns
fSW スイッチング周波数 1.0MHz 選択 1.0 MHz
D デューティ サイクル 1
出力
VO_Reg1 出力電圧レギュレーション VSET 構成を選択。TJ = 25℃。 -0.9% +0.9%
VO_Reg2 出力電圧レギュレーション VSET 構成を選択。0℃ < TJ < 85℃ -1.1% +1.1%
VO_Reg3 出力電圧レギュレーション VSET 構成を選択。-40℃ < TJ < 150℃ -1.25% +1.25%
VFB フィードバック レギュレーション電圧 可変構成を選択 0.6 V
VFB_Reg1 フィードバック電圧レギュレーション FB オプションを選択。TJ = 25℃。 -0.6% +0.6%
VFB_Reg2 フィードバック電圧レギュレーション FB オプションを選択。0℃ < TJ < 85℃ -0.65% +0.65%
VFB_Reg3 フィードバック電圧レギュレーション FB オプションを選択。-40℃ < TJ < 150℃ -0.9% +0.9%
IFB FB ピンへの入力リーク電流 可変構成、VFB = 0.6V 1 70 nA
Tdelay 起動遅延時間 IO = 0mA、EN = High からスイッチング開始までの時間、可変構成を選択。 600 1400 μs
起動遅延時間 IO = 0mA 、EN = High からスイッチング開始までの時間、VSET 構成を選択。標準値は VSET 構成の最初の選択肢に基づいています。  650 1850 μs
TSS ソフトスタート時間 Tdelay 後に IO = 0mA、最初のスイッチング パルスから VO 目標値まで。TR/SS ピン = オープン 150 200 µs
ISS SS/TR ソース電流 2.3 2.5 2.7 μA
VFB/VSS/TR トラッキング ゲイン、可変構成 0.75
VFB/VSS/TR トラッキング ゲインの許容誤差 ±8 mV
RDISCH アクティブ放電抵抗 放電 = オン - オプションを選択、EN = Low、 7.5 20 Ω