TS3DDR4000 12 ビット 1:2 高速 DDR2/DDR3/DDR4 スイッチ/マルチプレクサ

1 特長

• 広い V_DD 範囲：2.375V～3.6V
• 広帯域幅：5.6GHz (シングル・エンド、標準値)、6.0GHz (差動、標準値)
• 低いスイッチ・オン抵抗 (R_ON)：8Ω (標準値)
• 低いビット間スキュー：3ps (標準値)、全チャネル間の最大値 6ps
• 低いクロストーク： 1067MHz で -34dB (標準値)
• 低い動作電流：40µA (標準値)
• 低消費電力モードでの低い消費電流：2µA (標準値)
• I_OFF 保護により、パワー・ダウン状態 (V_DD = 0V) での電流リークを防止
• POD_12、SSTL_12、SSTL_15、SSTL_18 信号をサポート
• ESD 性能
  • 3kV 人体モデル (A114B、Class II)
  • 1kV 荷電デバイス・モデル (C101)
• 8mm×3mm、48 ボール、0.65mm ピッチの ZBA パッケージ

2 アプリケーション

• NVDIMM モジュール
• エンタープライズ用データ・システムおよびサーバー
• ノート PC およびデスクトップ PC
• 汎用 DDR3/DDR4 信号スイッチング
• 汎用高速信号スイッチング

3 概要

TS3DDR4000 は 12 ビット幅バス・スイッチングが可能な 1:2 または 2:1 の高速 DDR2/DDR3/DDR4 スイッチです。A ポートの全ビットを同時に B または C ポートに切り換えることができます。TS3DDR4000 は DDR2、DDR3、DDR4 メモリ・バスのシステムで動作するよう設計されており、独自のアーキテクチャにより広い帯域幅 (シングル・エンド -3dB 帯域幅 5.6GHz)、低周波数での小さな挿入損失、非常に短い伝播遅延を実現しています。TS3DDR4000 は 1.8V ロジック互換で、すべてのスイッチが双方向であるため、設計を柔軟に行えます。また、TS3DDR4000 には低消費電力モードがあり、このモードではすべてのチャネルが高インピーダンスとなってデバイスの消費電力が最小限に抑えられます。

1. 利用可能なすべてのパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。

Device Images

アプリケーション図

4 改訂履歴

Changes from B Revision (May 2017) to C Revision

• Changed the Pin Configuration imageGo
• Changed V_IH From: SEL1m and SEL2 To: SEL0 and SEL1 with a MIN value of 1 V in the Recommended Operating ConditionsGo
• Changed SEL1 To: SEL0 and SLE2 To: SEL1 in Figure 18Go
• Changed text 'Standard layout technique for 0.5 mm pitch BGA package" To: "Standard layout technique for 0.65 mm pitch BGA package..." in the Layout GuidelinesGo

Changes from A Revision (March 2015) to B Revision

• Changed V_DD Max value From: 5.5 V toTo: 4.8 V in the Absolute Maximum RatingsGo
• Added the Note to the Application and Implementation sectionGo

Changes from * Revision (November 2014) to A Revision

• ドキュメントをフルバージョンに更新Go

5 Pin Configuration and Functions