データシート
TS3DDR4000
- 広い VDD 範囲:2.375V~3.6V
- 広帯域幅:5.6GHz (シングル・エンド、標準値)、6.0GHz (差動、標準値)
- 低いスイッチ・オン抵抗 (RON):8Ω (標準値)
- 低いビット間スキュー:3ps (標準値)、全チャネル間の最大値 6ps
- 低いクロストーク: 1067MHz で -34dB (標準値)
- 低い動作電流:40µA (標準値)
- 低消費電力モードでの低い消費電流:2µA (標準値)
- IOFF 保護により、パワー・ダウン状態 (VDD = 0V) での電流リークを防止
- POD_12、SSTL_12、SSTL_15、SSTL_18 信号をサポート
- ESD 性能
- 3kV 人体モデル (A114B、Class II)
- 1kV 荷電デバイス・モデル (C101)
- 8mm×3mm、48 ボール、0.65mm ピッチの ZBA パッケージ
TS3DDR4000 は 12 ビット幅バス・スイッチングが可能な 1:2 または 2:1 の高速 DDR2/DDR3/DDR4 スイッチです。A ポートの全ビットを同時に B または C ポートに切り換えることができます。TS3DDR4000 は DDR2、DDR3、DDR4 メモリ・バスのシステムで動作するよう設計されており、独自のアーキテクチャにより広い帯域幅 (シングル・エンド -3dB 帯域幅 5.6GHz)、低周波数での小さな挿入損失、非常に短い伝播遅延を実現しています。TS3DDR4000 は 1.8V ロジック互換で、すべてのスイッチが双方向であるため、設計を柔軟に行えます。また、TS3DDR4000 には低消費電力モードがあり、このモードではすべてのチャネルが高インピーダンスとなってデバイスの消費電力が最小限に抑えられます。
技術資料
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6 をすべて表示 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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* | データシート | TS3DDR4000 12 ビット 1:2 高速 DDR2/DDR3/DDR4 スイッチ/マルチプレクサ データシート (Rev. C 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2019年 6月 6日 |
製品概要 | Mipi Switches | PDF | HTML | 2022年 1月 14日 | |||
技術記事 | Memory switches bring reliability and speed to clouding computing | PDF | HTML | 2016年 1月 5日 | |||
EVM ユーザー ガイド (英語) | TS3DDR4000 EVM User Guide | 2015年 2月 20日 | ||||
アプリケーション・ノート | Preventing Excess Power Consumption on Analog Switches | 2008年 7月 3日 | ||||
アプリケーション・ノート | Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection | 2004年 7月 8日 |
設計および開発
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評価ボード
TS3DDR4000-EVM — TS3DDR4000 評価モジュール
The TS3DDR4000-EVM is an evaluation module for TI’s 12-bit high-speed DDR2, DDR3 and DDR4 switch/multiplexer. The module lets you easily evaluate functional switching and logic implementation.
ユーザー ガイド: PDF
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
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NFBGA (ZBA) | 48 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。