JAJSH31C
November 2014 – March 2019
TS3DDR4000
PRODUCTION DATA.
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
Device Images
アプリケーション図
4
改訂履歴
5
Pin Configuration and Functions
Pin Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Static Electrical Characteristics
6.6
Dynamic Electrical Characteristics
6.7
Typical Characteristics
7
Parameter Measurement Information
8
Detailed Description
8.1
Overview
8.2
Functional Block Diagram
8.3
Feature Description
8.4
Device Functional Modes
9
Application and Implementation
9.1
Application Information
9.2
Typical Application
9.2.1
Non-Volatile Dual In-line Memory Module (NVDIMM) application
9.2.1.1
Design Requirements
9.2.1.2
Detailed Design Procedure
9.2.2
Load Isolation Application
9.2.2.1
Design Requirements
9.2.2.2
Detailed Design Procedure
10
Power Supply Recommendations
11
Layout
11.1
Layout Guidelines
11.2
Layout Example
12
デバイスおよびドキュメントのサポート
12.1
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
12.2
コミュニティ・リソース
12.3
商標
12.4
静電気放電に関する注意事項
12.5
Glossary
13
メカニカル、パッケージ、および注文情報
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
ZBA|48
MPBGAJ5
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
jajsh31c_oa
jajsh31c_pm
1
特長
広い V
DD
範囲:2.375V~3.6V
広帯域幅:5.6GHz (シングル・エンド、標準値)、6.0GHz (差動、標準値)
低いスイッチ・オン抵抗 (R
ON
):8Ω (標準値)
低いビット間スキュー:3ps (標準値)、全チャネル間の最大値 6ps
低いクロストーク: 1067MHz で -34dB (標準値)
低い動作電流:40µA (標準値)
低消費電力モードでの低い消費電流:2µA (標準値)
I
OFF
保護により、パワー・ダウン状態 (V
DD
= 0V) での電流リークを防止
POD_12、SSTL_12、SSTL_15、SSTL_18 信号をサポート
ESD 性能
3kV 人体モデル (A114B、Class II)
1kV 荷電デバイス・モデル (C101)
8mm×3mm、48 ボール、0.65mm ピッチの ZBA パッケージ