JAJSI12 October 2019 UCC21736-Q1
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UCC21736-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。UCC21736-Q1 は最大 ±10A のピーク・ソース/シンク電流を供給できます。
入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kVRMS の動作電圧に対応し、耐用年数 40 年超の絶縁バリアにより 12.8kVPK のサージ耐性を備える一方、部品間スキューが小さく、150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。
UCC21736-Q1 は、高速過電流/短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入出力側電源 UVLO といった最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。ASC 機能を使用してシステム障害発生時にパワー・スイッチを強制的にオンにできるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システム設計、サイズ、コストを簡素化できます。
型番 | パッケージ | 本体サイズ(公称) |
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UCC21736-Q1 | DW SOIC-16 | 10.3mm × 7.5mm |