JAJSJG8B
August 2020 – February 2024
UCC21759-Q1
PRODUCTION DATA
1
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Pin Configuration and Functions
5
Specifications
5.1
Absolute Maximum Ratings
5.2
ESD Ratings
5.3
Recommended Operating Conditions
5.4
Thermal Information
5.5
Power Ratings
5.6
Insulation Specifications
5.7
Safety-Related Certifications
5.8
Safety Limiting Values
5.9
Electrical Characteristics
5.10
Switching Characteristics
5.11
Insulation Characteristics Curves
5.12
Typical Characteristics
6
Parameter Measurement Information
6.1
Propagation Delay
6.1.1
Non-Inverting and Inverting Propagation Delay
6.2
Input Deglitch Filter
6.3
Active Miller Clamp
6.3.1
Internal On-chip Active Miller Clamp
6.4
Under Voltage Lockout (UVLO)
6.4.1
VCC UVLO
6.4.2
VDD UVLO
6.5
Desaturation (DESAT) Protection
6.5.1
DESAT Protection with Soft Turn-OFF
7
Detailed Description
7.1
Overview
7.2
Functional Block Diagram
7.3
Feature Description
7.3.1
Power Supply
7.3.2
Driver Stage
7.3.3
VCC and VDD Undervoltage Lockout (UVLO)
7.3.4
Active Pulldown
7.3.5
Short Circuit Clamping
7.3.6
Internal Active Miller Clamp
7.3.7
Desaturation (DESAT) Protection
7.3.8
Soft Turn-off
7.3.9
Fault ( FLT, Reset and Enable ( RST/EN)
7.3.10
Isolated Analog to PWM Signal Function
7.4
Device Functional Modes
8
Applications and Implementation
8.1
Application Information
8.2
Typical Application
8.2.1
Design Requirements
8.2.2
Detailed Design Procedure
8.2.2.1
Input filters for IN+, IN- and RST/EN
8.2.2.2
PWM Interlock of IN+ and IN-
8.2.2.3
FLT, RDY and RST/EN Pin Circuitry
8.2.2.4
RST/EN Pin Control
8.2.2.5
Turn-On and Turn-Off Gate Resistors
8.2.2.6
Desaturation (DESAT) Protection
8.2.2.7
Isolated Analog Signal Sensing
8.2.2.7.1
Isolated Temperature Sensing
8.2.2.7.2
Isolated DC Bus Voltage Sensing
8.2.2.8
Higher Output Current Using an External Current Buffer
8.2.3
Application Curves
9
Power Supply Recommendations
10
Layout
10.1
Layout Guidelines
10.2
Layout Example
11
Device and Documentation Support
11.1
サード・パーティ製品に関する免責事項
11.2
Documentation Support
11.2.1
Related Documentation
11.3
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
11.4
サポート・リソース
11.5
Trademarks
11.6
静電気放電に関する注意事項
11.7
用語集
12
Revision History
13
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
DW|16
MSOI003I
サーマルパッド・メカニカル・データ
DW|16
QFND505A
発注情報
jajsjg8b_oa
1
特長
3kV
RMS
のシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ
車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
デバイス温度グレード 1:動作時周囲温度範囲 -40℃~+125℃
デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
デバイス CDM ESD 分類レベル C3
最高 900V
pk
の SiC MOSFET および IGBT
出力駆動電圧 (VDD-VEE):33V (最大値)
大きなピーク駆動電流と高い CMTI
±10A の駆動能力と分割出力
最小 CMTI:150V/ns
200ns の応答時間による高速な DESAT 保護
4A の内部アクティブ ミラー クランプ
400mA のソフト ターンオフ (フォルト検出時)
PWM 出力を備えた絶縁アナログ センサで
NTC、PTC、サーマル ダイオードによる温度センシング
高電圧 DC リンクまたは相電圧
アラーム
FLT
で過電流を通知、
RST
/EN でリセット
信号
RST
/EN に高速イネーブル / ディセーブル応答
入力ピンの <40ns のノイズ過渡およびパルスを除去
12V VDD UVLO (RDY のパワー グッド付き)
最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
伝搬遅延時間:130ns (最大値)、パルス / 部品スキュー:30ns (最大値)
沿面距離と空間距離が >8mm の SOIC-16 DW パッケージ
動作時の接合部温度:–40℃~+150℃
安全関連認証:
EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した基本絶縁耐圧:4242V
PK