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UCC21759-Q1
車載対応、DESAT (脱飽和) 機能搭載、クランプ内蔵、IGBT/SiC 向け、3.0kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ
データシート
UCC21759-Q1
- 3kVRMS のシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ
- 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
- デバイス温度グレード 1：動作時周囲温度範囲 -40℃～+125℃
- デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
- デバイス CDM ESD 分類レベル C3
- 最高 900Vpk の SiC MOSFET および IGBT
- 出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V (最大値)
- 大きなピーク駆動電流と高い CMTI
- ±10A の駆動能力と分割出力
- 最小 CMTI：150V/ns
- 200ns の応答時間による高速な DESAT 保護
- 4A の内部アクティブ ミラー クランプ
- 400mA のソフト ターンオフ (フォルト検出時)
- PWM 出力を備えた絶縁アナログ センサで
- NTC、PTC、サーマル ダイオードによる温度センシング
- 高電圧 DC リンクまたは相電圧
- アラームFLTで過電流を通知、RST/EN でリセット
- 信号RST/EN に高速イネーブル / ディセーブル応答
- 入力ピンの <40ns のノイズ過渡およびパルスを除去
- 12V VDD UVLO (RDY のパワー グッド付き)
- 最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
- 伝搬遅延時間：130ns (最大値)、パルス / 部品スキュー：30ns (最大値)
- 沿面距離と空間距離が >8mm の SOIC-16 DW パッケージ
- 動作時の接合部温度：–40℃～+150℃
- 安全関連認証：
- EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した基本絶縁耐圧：4242VPK
UCC21759-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 990V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル チャネル ゲート ドライバです。UCC21759-Q1 は、最大 ±10A のピーク ソース / シンク電流を供給できます。
入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 636VRMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 6kVPK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく、>150V/ns の同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。
UCC21759-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、フォルト通知、アクティブ ミラー クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT パワー トランジスタを最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。
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技術資料
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5 をすべて表示 | 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | UCC21759 -Q1 アクティブ保護および絶縁アナログ センシング機能搭載、高 CMTI、車載用 10A ソース / シンク、SiC/IGBT 向け、基本絶縁型シングル チャネル ゲート ドライバ データシート (Rev. B 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2024年 2月 22日 |
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| アプリケーション概要 | The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits | PDF | HTML | 2021年 12月 16日 |
設計および開発
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UCC14240-Q1、UCC14141-Q1、UCC14341-Q1 (...)
試験報告書: PDF
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SOIC (DW) | 16 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。