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データシート
UCC21739-Q1
- 3kVRMS のシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ
- 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
- デバイス温度グレード 1：-40℃～+125℃の動作時周囲温度範囲
- デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
- デバイス CDM ESD 分類レベル C3
- 最高 900Vpk の SiC MOSFET および IGBT
- 出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V (最大値)
- ±10A の駆動能力と分割出力
- 最小 CMTI：150V/ns
- 270ns の応答時間による高速過電流保護
- 外部アクティブ ミラー クランプ
- フォルト発生時の内部 2 レベル ターンオフ
- PWM 出力を備えた絶縁アナログ センサで
- NTC、PTC、サーマル ダイオードによる温度センシング
- 高電圧 DC リンクまたは相電圧
- 過電流 FLT アラームと RST/EN からのリセット
- RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
- 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
- 12V VDD UVLO (RDY のパワー グッド付き)
- 最大 5V のオーバー/アンダー シュート過渡電圧に耐える入力/出力
- 伝搬遅延時間：130ns (最大値)、パルス / 部品スキュー：30ns (最大値)
- 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
- 動作時の接合部温度：-40℃～150℃
- 安全関連認証：
- DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した絶縁耐圧：4242VPK
UCC21739-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせた、SiC MOSFET および IGBT の最高 DC 900V 動作電圧向けに設計されたガルバニック絶縁型シングル チャネル ゲート ドライバです。UCC21739-Q1 は、最大 ±10A のピーク ソース / シンク電流を供給できます。
入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁されており、最大 636VRMS の動作電圧、絶縁バリア寿命が 40 年を超える 6kVPK のサージ耐性を備えるとともに、小さい部品間スキューと 150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。
UCC21739-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング サポート、フォルト通知、アクティブ ミラー クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。
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技術資料
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7 をすべて表示 | 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | UCC21739-Q1 アクティブ保護、絶縁アナログ センシング機能、高 CMTI 搭載、車載用 10A ソース / シンク、SiC/IGBT 向け絶縁シングル チャネル ゲート ドライバ データシート (Rev. A 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2024年 2月 8日 |
| アプリケーション概要 | Does My Design Need a Miller Clamp? | PDF | HTML | 2024年 12月 11日 | |||
| アプリケーション・ノート | Choosing Appropriate Protection Approach for IGBT and SiC Power Modules | PDF | HTML | 2024年 7月 19日 | |||
| 証明書 | VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. W) | 2024年 1月 31日 | ||||
| ユーザー・ガイド | UCC217xx and ISO5x5x Half-Bridge EVM User's Guide for Wolfspeed 1200-V SiC | 2023年 9月 1日 | ||||
| アプリケーション概要 | The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits | PDF | HTML | 2021年 12月 16日 | |||
| 設計ガイド | サーマル・ダイオードとセンシング FET を搭載した SiC/IGBT 絶縁型ゲート・ドライバのリファレンス・デザイン | 英語版 | 2020年 1月 17日 |
設計および開発
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評価ボード
UCC21732QDWEVM-025 — UCC21732-Q1 車載シングルチャネル絶縁型 SiC/IGBT ゲート・ドライバの評価モジュール
The UCC21732QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation (...)
ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・ツール
PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®
PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。
設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
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リファレンス・デザイン
PMP23223 — バイアス電源搭載、スマート絶縁型ゲート・ドライバのリファレンス・デザイン
このリファレンス・デザインは、UCC21732 ゲート・ドライバと UCC14xxx シリーズのバイアス電源の組み合わせを提示します。このリファレンス・デザインは、Wolfspeed 社の SiC (シリコン・カーバイド) FET (電界効果トランジスタ) モジュールへの直接接続を含め、さまざまなパワー・スイッチの駆動に使用できます。このリファレンス・デザインは、ハイサイド・ドライバとローサイド・ドライバのどちらか一方として使用できるほか、静電容量性負荷に類似した負荷と組み合わせてテストすることもできます。
UCC14240-Q1、UCC14141-Q1、UCC14341-Q1 (...)
試験報告書: PDF
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SOIC (DW) | 16 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。