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  • UCC21739-Q1 アクティブ保護、絶縁アナログ センシング機能、高 CMTI 搭載、車載用 10A ソース / シンク、SiC/IGBT 向け絶縁シングル チャネル ゲート ドライバ

    • JAJSIW1A March   2020  – January 2024 UCC21739-Q1

      PRODUCTION DATA  

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  • UCC21739-Q1 アクティブ保護、絶縁アナログ センシング機能、高 CMTI 搭載、車載用 10A ソース / シンク、SiC/IGBT 向け絶縁シングル チャネル ゲート ドライバ
  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2  ESD Ratings
    3. 5.3  Recommended Operating Conditions
    4. 5.4  Thermal Information
    5. 5.5  Power Ratings
    6. 5.6  Insulation Specifications
    7. 5.7  Safety-Related Certifications
    8. 5.8  Safety Limiting Values
    9. 5.9  Electrical Characteristics
    10. 5.10 Switching Characteristics
    11. 5.11 Insulation Characteristics Curves
    12. 5.12 Typical Characteristics
  7. 6 Parameter Measurement Information
    1. 6.1 Propagation Delay
      1. 6.1.1 Regular Turn-OFF
    2. 6.2 Input Deglitch Filter
    3. 6.3 Active Miller Clamp
      1. 6.3.1 External Active Miller Clamp
    4. 6.4 Under Voltage Lockout (UVLO)
      1. 6.4.1 VCC UVLO
      2. 6.4.2 VDD UVLO
    5. 6.5 OC (Over Current) Protection
      1. 6.5.1 OC Protection with 2-Level Turn-OFF
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1  Power Supply
      2. 7.3.2  Driver Stage
      3. 7.3.3  VCC and VDD Undervoltage Lockout (UVLO)
      4. 7.3.4  Active Pulldown
      5. 7.3.5  Short Circuit Clamping
      6. 7.3.6  External Active Miller Clamp
      7. 7.3.7  Overcurrent and Short Circuit Protection
      8. 7.3.8  2-Level Turn-off
      9. 7.3.9  Fault ( FLT, Reset and Enable ( RST/EN)
      10. 7.3.10 Isolated Analog to PWM Signal Function
    4. 7.4 Device Functional Modes
  9. 8 Applications and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Input filters for IN+, IN- and RST/EN
        2. 8.2.2.2 PWM Interlock of IN+ and IN-
        3. 8.2.2.3 FLT, RDY and RST/EN Pin Circuitry
        4. 8.2.2.4 RST/EN Pin Control
        5. 8.2.2.5 Turn-On and Turn-Off Gate Resistors
        6. 8.2.2.6 External Active Miller Clamp
        7. 8.2.2.7 Overcurrent and Short Circuit Protection
          1. 8.2.2.7.1 Protection Based on Power Modules with Integrated SenseFET
          2. 8.2.2.7.2 Protection Based on Desaturation Circuit
          3. 8.2.2.7.3 Protection Based on Shunt Resistor in Power Loop
        8. 8.2.2.8 Isolated Analog Signal Sensing
          1. 8.2.2.8.1 Isolated Temperature Sensing
          2. 8.2.2.8.2 Isolated DC Bus Voltage Sensing
        9. 8.2.2.9 Higher Output Current Using an External Current Buffer
      3. 8.2.3 Application Curves
  10. 9 Power Supply Recommendations
  11. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  12. 11Device and Documentation Support
    1. 11.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 11.2 Documentation Support
      1. 11.2.1 Related Documentation
    3. 11.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 11.4 サポート・リソース
    5. 11.5 Trademarks
    6. 11.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 11.7 用語集
  13. 12Revision History
  14. 13Mechanical, Packaging, and Orderable Information
  15. 重要なお知らせ

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DW|16
    • MSOI003I
サーマルパッド・メカニカル・データ
  • DW|16
    • QFND505A
発注情報
  • jajsiw1a_oa
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Data Sheet

UCC21739-Q1 アクティブ保護、絶縁アナログ センシング機能、高 CMTI 搭載、車載用 10A ソース / シンク、SiC/IGBT 向け絶縁シングル チャネル ゲート ドライバ

このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。

1 特長

  • 3kVRMS のシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1：-40℃～+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C3
  • 最高 900Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V (最大値)
  • ±10A の駆動能力と分割出力
  • 最小 CMTI：150V/ns
  • 270ns の応答時間による高速過電流保護
  • 外部アクティブ ミラー クランプ
  • フォルト発生時の内部 2 レベル ターンオフ
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ センサで
    • NTC、PTC、サーマル ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • 過電流 FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY のパワー グッド付き)
  • 最大 5V のオーバー/アンダー シュート過渡電圧に耐える入力/出力
  • 伝搬遅延時間：130ns (最大値)、パルス / 部品スキュー：30ns (最大値)
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：-40℃～150℃
  • 安全関連認証：
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した絶縁耐圧：4242VPK

2 アプリケーション

  • EV 用トラクション インバータ
  • オンボード充電器と充電ステーション
  • HEV/EV 用 DC/DC コンバータ

3 概要

UCC21739-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせた、SiC MOSFET および IGBT の最高 DC 900V 動作電圧向けに設計されたガルバニック絶縁型シングル チャネル ゲート ドライバです。UCC21739-Q1 は、最大 ±10A のピーク ソース / シンク電流を供給できます。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁されており、最大 636VRMS の動作電圧、絶縁バリア寿命が 40 年を超える 6kVPK のサージ耐性を備えるとともに、小さい部品間スキューと 150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21739-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング サポート、フォルト通知、アクティブ ミラー クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。

製品情報
部品番号 パッケージ(1) 本体サイズ (公称)
UCC21739-Q1 DW (SOIC-16) 10.3mm × 7.5mm
(1) 供給されているすべてのパッケージについては、セクション 13 を参照してください。
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